SiC介绍全解.pptVIP

* SiC PJY2016.01.22 SiC 碳化硅 1905年首次在陨石中发现少量碳化硅。 迄今尚未找到可供开采的矿源。 中国有碳化硅冶炼企业200多家，年生产能力200万吨。 碳化硅应用分布 主要应用于钢铁冶炼、陶瓷烧制、耐火材料、太阳能光伏组件、磨具磨料、电子、化工等。 硬度高、切削力强 耐高温、热传导性好 高击穿场、高载流子饱和速度 研磨材料。做磨具,如砂轮、磨头等,玉器珠宝、玻璃石材、合金、电子元件等的研磨及抛光、太阳能电池基板的切割、建筑筑路等。 作为高温间接加热材料和冶金脱氧剂等,制成耐热、体积小、重量轻、强度高和节能效果好的高级耐火材料。 用于制造半导体的高纯度单晶材料。光伏逆变器、风力发电、混合动力/全电汽车、民用输配电和航空航天等领域。 SiC（碳化硅）特点 SiC半导体特点 1 宽禁带： 禁带宽度：非常窄的一般是金属，反之一般是绝缘体。半导体的反向耐压，正向压降都和禁带宽度有关。 例子： 材料 禁带宽度（ev） Ge 0.66 Si 1.12 GaAs（砷化镓） 1.42 SiC 3.24 金刚石（一般为绝缘体） 5.47 SiC半导体特点 2性能： 泄露电流低、抗辐射性强、耐高压、高温 高频、高速 散热好，提高集成度 SiC电力电子材料 衬底：单晶 美国Cree公司2007年研发出100mm的SiC衬底，2010年8月研发出150mm的SiC衬底。日本2009年开始提供50-100mm的SiC衬底。 以美国的三家公司(Cree,Dow Corning,II-VI)占有全球90%～ 95%的产量。 因为SiC材料和器件的制备工艺难度大、成品率低,所以价格较高。2009年3月起至6月间,其2英寸的4H,6H型SiC晶片价格为150～ 250美元/片。 中国企业对SiC晶片的应用还很少，处于刚起步阶段。 SIC电力电子器件 1. 最成熟的SiC器件：肖特基势垒二极管（SiC单极二极管） 日本丰田 SiC二极管逆变器：混合动力汽车和电动汽车设备中。 日本关西电力公司将开发的SiC逆变器用于阳光发电。 欧洲STMicroelectronics公司的SiC二极管被用于电源管理。 德国Infineon公司 SiC二极管 在平板显示器和计算机的电源中应用。 2. SiC MOSFET、SiC BJT、 SiC IGBT 等器件还不成熟，未批量生产。 SiC器件 抵御太空中强大的射线辐射，承受较大的核战或强电磁 干扰 法国调查数据表明从2005年-2009年SiC器件市场的年增长率为27%,从2010年-2015年的年增长率将为60%～ 70%。 *