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CCD和CMOS的技术特点及分类 CCD和CMOS的技术特点及分类 在可以预见的未来，CCD和CMOS两种传感器将在各自的成像领域中扮演重要的角色。那些成功的高端图像捕捉应用用户将不止考虑基本的技术因素，而且还必须考虑其持续发展性、适应性和技术支持性。他们将会在CCD和CMOS传感器供货商的保证下在这种动态技术发展环境中作出长远的考虑。 CCD和CMOS图像传感器均以象素化的金属氧化半导体构成。它们的每个象素通过积累与入射光强成比例的信号电荷完成与空间一一对应的采样功能。 当曝光结束以后，CCD传感器将信号电荷包按照一定的次序转移到一个公共的输出结构中，在这里信号电荷被转换为电压，同时作为一个缓冲区域将其送出。在CMOS图像传感器中，信号电荷到电压的转换在每个象素内部进行。这种信号读出结构的不同带来了两种传感器不同的内部结构、适用性以及各自的局限性。 在CCD传感器中，大部分功能在相机的印刷电路板中生成。如果应用需要变化，设计师只要重新设计这个电路板而不必重新设计图像传感器。而CMOS图像传感器在象素内部完成电荷－电压的转换，并且大部分功能被集成在了传感器内部。虽然如此会降低传感器的应用灵活性，但是却增加了其在恶劣环境中的可靠性。 下面是图像传感器的八个主要特性参数： 1． 灵敏度（RESPONSIVITY）：传感器对单位光照积累信号的能力。一般来说，由于CMOS传感器的增益