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- 2017-01-06 发布于天津
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InterlayerdynamicsandtheSTMspectrumofhigh-Tc
高温超导体c轴电阻的普适标度律 高温超导体c轴电阻的反常 高温超导体c轴电阻的反常 平行和垂直平面方向的电阻呈现出完全相反的变化行为,这个问题不能用能带论和电子弱局域化理论解释。 已有的物理解释 c-轴电阻的半导体行为是各向异性的层间电子跃迁与d(x2-y2) 波对称的赝能隙相互作用的结果 赝能隙:正常态中出现的类超导能隙现象 高温超导体的c轴电子结构 电子的层间跃迁过程 LDA Band Structure Results Coherent 3D Fermi surface measured by Polar Angular Magnetoresistance Oscillation 超导态:低能行为由能隙节点附近的准粒子决定 C轴方向超流密度:随温度T5变化 正常态:导电行为由最大能隙处的电子激发决定 Pseudogap versus Doping Summary 物理的可靠性随着检验总量的增加而增加,但随着理论中引入的参数增加而减少。 彭恒武 * * 平面内电阻随温度降低而降低,典型的金属行为 垂直平面方向电阻随温度降低而上升,典型的半导体行为 a,b (x,y) c (z) 平面内电阻随温度降低而降低,典型的金属行为 垂直平面方向电阻随温度降低而上升,典型
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