chapter14半导体元器件解析.ppt

14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.1.2 N型半导体和 P 型半导体 14.2 PN结 14.2.1 PN结的形成 14.2.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 14.3 半导体二极管 14.3.1 基本结构 14.3.2 伏安特性 14.3.3 主要参数 二极管共阴极或共阳极联结时如何判断二极管的状态？ 14.4 稳压二极管 3. 主要参数 4.工作电路 14.5 半导体三极管 14.5.1 基本结构 2. 各电极电流关系及电流放大作用 1. 输入特性 2. 输出特性 14.5.4 主要参数 1. 电流放大系数 练习 如何判断晶体管三种工作状态？ 作 业 N N P 基极 发射极 集电极 NPN型 B E C B E C PNP型 P P N 基极 发射极 集电极 符号： B E C IB IE IC B E C IB IE IC NPN型三极管 PNP型三极管 基区：最薄， 掺杂浓度最低 发射区：掺 杂浓度最高 发射结 集电结 B E C N N P 基极 发射极 集电极 结构特点： 集电区： 面积最大 14. 5. 2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 B E C N N P EB RB EC RC 发射结正偏、集电结反偏 VC VBVE + - + - B E C NPN VCVB VE B E C PNP + - + - UCE UBE 0 UCE UBE 0 IB(mA) IC(mA) IE(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 结论: 1）三电极电流关系 IE = IB + IC 2） IC ?? IB ， IC ? IE 3） ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICE0 4、晶体管的连接方式 共基极 共发射极 共集电极 共什么极指哪个极为输入回路和输出回路的公共端。 E C B 共基极 E C B 共发射极 E C B 共集电极 三、晶体管的特性曲线 ——用来表示晶体管各极电压与电流的之间相互关系曲线。 反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 重点讨论共射极放大电路。 输入回路 输出回路 IB UCE B E C EB RB uA V mA mA V EC IC IE + – UBE + – RC 特点:PN结正向特性 死区电压Uon： 硅管0.5V， 锗管0.1V。 晶体管导通时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6~0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V IB(?A) UBE(V) 20 40 60 80 0.4 0.8 UCE?1V O IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 输出特性曲线的三个工作区： 截止区 饱和区 放大区： Je正偏，Jc反偏。 uBE Uon ，硅管：0.6—0.8V， 锗管：0.2—0.3V。uCEuBE, 一般1V以上 iC受iB的控制，iC=βiB. 截止区： Je反偏，Jc反偏。uBE≤Uon, IB=0, IC=ICEO , 三极管几乎不导通 饱和区：Je正偏，Jc正偏 uBE Uon ，硅管：0.6—0.8V, 锗管：0.1—0.3V。 uCEuBE, iCβiB。 深度饱和 UCES=0.3V(硅管) , UCES =0.1V(锗管)。 晶体管的三种工作状态如下图所示 + UBE 0 ? IC IB + UCE ? (a)放大 ? UBC 0 + IC ? 0 IB = 0 + UCE ? UCC ? (b)截止 ? UBC 0 + + UBE ? 0