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晶须生长原理及制备方法简述罗中元晶须生长过程（以圆柱形晶须生长为例 ）晶须根部生长示意图（ZnO）影响圆柱形晶须生长的因素1.位置：一个原子在界面上叠合时释放的能量越大，原子结合的稳定性就越大，该位置就越有利于原子的叠合。光滑面上不同位置原子叠合的稳定性的大小顺序是:扭折界面光滑平面光滑面边缘。位置决定了晶体生长的方向。2.粒子扩散速率：对于半径为r的晶须，其轴向（径向）生长速率为x/r (x为晶须表面到能被吸附的原子的距离)乘以原子直接碰撞在晶须尖端（侧表面）的速率。扩散速率决定了晶须轴向以及径向生长速率。生长圆柱形晶须需要注意的措施?1.尽量构造螺位错型台阶供晶须生长。2.控制较小的稳定的过饱和度。晶须制备方法简述气相法溶液法熔盐法固体生长法气相法PVD法:过程无化学反应发生，原料在高温端蒸发，通过气相传质，以较低过饱和度在低温端冷凝生长出晶须。CVD法:通过气态原料或者原料与环境气体发生化学反应产生挥发物质，传到生长点，在较低的过饱和度状态下凝聚生长出晶须。溶液法溶液法原先主要用于晶体薄膜的制备，而制备晶须的难度比较大。主要原因是溶液过饱和度不易控制，经常二维形核，产生片晶。且温度梯度与浓度梯度不易控制，容易局部形成多晶。目前采用溶液法制备的晶须有硫酸钙、氧化铝、碱式硫酸镁等。 熔盐法 熔盐法和固相反应相比，由于熔盐体系能为反应物提供一个液相环境，使得各反应物的扩散系数提高、扩散距离变长，因此其对反应温度的要求降低，同时晶体生长速率提高。不同熔盐介质的成分、黏滞系数、对晶须的浸润性不同，对晶体生长也有不同影响。目前采取熔盐法制备的晶须有莫来石（3Al2O3·2SiO2），钛酸钾、二氧化钛等。固体生长法固体生长法是在固体与固体发生化学反应，通过生成物在基面上的积累而生长出晶须的。反应过程可以分相内扩散与界面反应两部分。而且扩散速率慢，一般需要高温。目前碳化硅晶须主要用此方法进行工业生产，采用稻谷灰与二氧化硅作为反应原料。激光照射区熔法谢谢！晶须即是由高纯度单晶生长而成的短纤维。直径很小，轴向长度较长。晶须的生长过程可以看做特定形状的单晶体生长的过程。为了简化叙述，接下来主要讨论圆柱形晶须的生长机理。起初是单个的生长点向前运动，其直径大约是分子大小;紧接着在界面处产生第二个生长点并沿着第一条生长线快速向前生长，晶须在长长的同时也在不断长粗; 若后面的生长点生长速度最终赶不上前面的生长点速度，就会形成台阶，即造成晶须在长度方向上的分布不均。?位置与晶体表面的状况有关，包括阶梯的形状、方向、大小等。扩散速率与材料的特性以及过饱和度有关，在材料确定的情况下，随着时间推移，溶液、熔体（或气体）过饱和度下降，扩散速率降低。晶体生长速率降低。此外，晶体直径的增大也会导致晶体生长速率降低。圆柱形晶须的生长，则需要尽量引导晶体沿轴向生长，抑制晶体沿径向生长。根据以上分析，可以得出控制圆柱形晶须生长的以下措施:1.光滑界面上存在螺型位错时，当一个面的台阶被原子进人后，又会出现螺旋型的台阶，可以形成持续的吸附生长。于是可以构造一个位错形成单一螺旋台阶，生长出晶须。同时，在最接近位错处，只需要加人少量原子就完成一周，而离位错较远处则需较多的原子。所以采取螺位错型台阶生长晶须既有利于加快轴向生长速率，又抑制了径向生长。一举双得。2.在低的过饱和度下，上述x距离以内的原子被吸附在尖端上生长，从而促进了晶须长长。但若过饱和度远高于晶须生长所需，就会发生大规模的二维形核，产生基面生长的片晶，从而得不到晶须结构。此外，如果不饱和度不稳定，也难以得到均匀稳定的晶须结构。这里的一个构想是制造液相成分的缓释剂弥补过饱和度的损失。?其中气相法是发展最成熟的一种方法，目前应用于制备碳化硅、氮化硅、氧化锌等多种晶须。PVD关键是精确控制温度梯度和浓度梯度，引入惰性气体(或真空)来调节过饱和度以及辅助扩散。该方法在生长金属晶须时被普遍采用，晶须的大小和长短正比于熔点时金属的蒸气压。CVD法的关键是要选择合适的化学反应途径，对原料和制备条件的要求很高。目前采用这一方法制备的有碳化硅晶须等。值得一提的是用激光作为热源，合成碳化硅晶须。有点类似于区熔法，激光在碳化硅粉末表面进行扫描，将粉末融化后结晶。通过激光功率、频率、扫描速度的控制可以得到不同形态、不同密度的晶须。然而此方法的主要缺点就是在烧熔过程中晶须容易粘结，一般得到的是网状晶须，需要经过剪切才可以加入复合材料中作增强剂。