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MOS器件的特性分析 摘要 本次实验以型号为2N7000的NMOS，型号为BS250的PMOS的两款器件为测试条件，使用吉士利仪器测出I—V曲线与C—V曲线，测量出增强型NMOS与增强型PMOS的输出特性曲线，转移特性曲线，栅源电容，栅漏电容。各个测量结果在下文进行一一说明，曲线趋势据符合理论预测。 引言 过去数十年来，MOSFET的尺寸不断地变小。早期的集成电路MOSFET制程里，通道长度约在几个微米的等级。但是到了今日的集成电路制程，这个参数已经缩小了几十倍甚至超过一百倍。20年初，Intel开始以纳米的技术来制造新一代的微处理器，实际的元件通道长度可能比这个数字还小一些。至90年代末，MOSFET尺寸不断缩小，让集成电路的效能大大提升，而从历史的角度来看，这些技术上的突破和半导体制程的进步有著密不可分的关系。 1、NMOS特性曲线 图1、Cgd---Vgd曲线 图2、Cgs---Vgs曲线 栅漏电容－电压与栅源电容－电压关系是一样，因为MOS器件两端是对称的，而在测量时只需测需要的的两端，因此结果一致。 在栅漏对交流短路的情况下，当栅源电压Vgs增加时，沟道内载流子电荷的变化量。 根据半导体物理与器件的NMOS电容特性的分析，以及实验所取的频率可知为低频强反型型时的栅压和电容关系与图中所得曲线相符。 图3、输出特性曲线 当，NMOS进入饱和区，此时源漏电流与Vds无关，满足关系式 ，W为NMOS沟道宽度，L为沟道长度，为电子迁移率，为阈值电压。跨导为，饱和区的跨导随着Vgs的提高而增大，但由输出特性曲线可以看出在饱和区时，Ids随着Vds的增加有微弱的增加，这是因为有效沟道调制效应造成的结果。当时，向源端移动，即夹断点向源端移动，但夹断点的电压依然为，有效沟道长度减小，导致电阻减小，因此源漏电流才会有所增加，但在长沟道MOS器件并不显著，但在短沟道且比较突出。 时，器件处于线性区， ，当很小时，可以把ＭＯＳ看成受栅电压控制的电阻，称为通导电阻，输出特性曲线开始一部分可以近似为直线，斜率就是通道电阻的倒数。 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　图4、NMOS的转移特性曲线 因为这次Ｖｄｓ保持３ｖ不变，转移特性曲线近２.５ｖ以后之所以是平的，是因为仪器的限流作用，所以此次有效区域大约在，小于１.５ｖ器件就截止了，这一段区域器件将保持饱和区。 这是刚导通的阶段，斜率为0即， 随着Ｖｇｓ的增加，跨导必然增加，此时的。 　 　 　 　 　 　 　 ＰＭＯＳ的输出特性曲线 与ＮＭＯＳ的差别是阈值电压为负，且栅源电压要小于阈值电压才能导通，并且负的越厉害，沟道中的自由移动电荷越多，电流越大。 　 　 　 　 　 　 　 　 　 ＰＭＯＳ的转移特性曲线 左边电流不变是因为设备的限流作用导致的，右边的电流为０，是因为截止状态，栅源电压大于阈值电压。 在100hz高频下PMOS的电容随电压增大，趋势如图，基本一致 由PMOS的电容电压特性分析可知，强反型，中反型，耗尽，堆积时的电容特性趋势，从左到右正和上图一样，上图和分析一致 V 结论： ⑴ 跨导的计算 对于NMOS的阈值电压可从转移特性曲线中求出斜率，我通过origin自带的工具得出跨导，到的范围变动，这都是饱和区的跨导。 ⑵沟道迁移率的计算 由于饱和区电流 在转移特性曲线饱和区读一组数据Vgs=2.2v Ids=0.003963A Vt=1.9v代入可得=0.088，知道栅氧化层厚度和宽长比就可以进一步求出迁移率。PMOS同理。 本次试验使我们对NMOS与PMOS器件结构和性质有了更进一步的理解。对测量仪器有了较为熟悉的掌握。 参考文献 Donald A.Neamen《半导体物理与器件》第三版 电子工业出版社 2010,319—328 刘恩科《半导体物理学》第七版 电子工业出版社 2011,220—223 Razavi《模拟CMOS集成电路设计》 西安交通大学出版社 2013,17—23