交流调速系统第2版宋书中常晓玲主编第四章变频调速系统课件教学.pptVIP

电机与电气控制 淮安信息职业技术学院 c) 单电源驱动电路的改进电路 PWM=1，控制GTR导通的电路情况 *电容C始终保持充电电压2.8V 当关断时可用作负电源. *VT4与GTR构成复合管. PWM=0，控制GTR关断的电路情况 * 该电路具有持续的C充电电压,具有较高的关断可靠性. *电路设计VT4需要较高耐压. 2.集成模块化驱动电路 a) GTR的集成驱动电路M57215 M57215BL的内部结构 M57215BL的外围接线 正电源 负电源 其他型号集成驱动电路: MPD1204、UAA4003、M57904、EX359等 b) IGBT的集成驱动电路EXB841 EXB841的内部原理图 限制饱和程度 过电流保护 * 该芯片信号延迟时间低于1us，开关频率可达40-50kHz *快速光耦隔离 *内部多种保护 其它IGBT驱动集成电路： EXB840、EXB850、IR2110、MPD1205、EXB851等。 EXB841的应用电路 限制饱和程度 过电流保护 二．PWM大规模单片集成电路 1.HEF4752 所产生SPMW波形开关速度较低，可用于GTR通用逆变器或三相晶闸管逆变器的控制。 HEF4752的引脚排列 HEF4752的引脚名称和分组功能说明 （1）逆变器输出驱动 * ORM1提供GTR1的基极驱动信号 * ORM2提供GTR4的基极驱动信号 * OYM1提供GTR3的基极驱动信号 * OYM2提供GTR4的基极驱动信号 * OBM1提供GTR5的基极驱动信号 * OBM2提供GTR2的基极驱动信号 * ORC、OYC、OBC只用于带有辅助关断晶闸管的逆变器中，通用变频器不使用这些引脚。 * 驱动GTR逆变器时，置I为低电平。 * 置K为低电平时，上下GTR的互锁时间=8/fOCT，反之，互锁时间加倍。 *置CW为低电平时，SPWM输出负相序。 * 从FCT输入的脉冲，其频率决定逆变器频率 * 从VCT输入的脉冲，其频率决定逆变器电压。 * 从RCT输入的脉冲，其频率决定载波频率 * 从OCT输入的脉冲，其频率决定互锁时间。 * 该芯片自动保持载波与输出频率成正比的同步调制关系 2. SLE4520 大规模数字式SPWM集成电路，可以与微型计算机直接接口，产生高速SPMW波形，用于IGBT逆变器的控制。 SLE4520的部分引脚功能说明 SLE4520集成电路的内部结构 SLE4520集成电路的工作原理 SLE4520的内部寄存器地址 12M晶振时的分频取值与对应参数 死区寄存器取值与死区时间对应关系 PMM变频调速系统 第五节 一．模拟控制的PWM变频调速系统 二．单片机控制的PWM变频调速系统 一．模拟控制的PWM变频调速系统 (一)直流参考信号的PWM变频器 上述参考信号为直流的PWM变频器中 频率控制通道： 给定积分器——反号器——U/F转换器——六分频器，高电平有效 电压控制通道： 给定积分器——函数发生器——集成脉宽调制器，高电平有效。 两路信号经六个与非门综合成为基极驱动信号。 过流过压保护信号（高电平有效）同时输入每个与非门进行故障封锁。 去基极驱动电路M57215的信号为低电平有效。 *黑线为不加PWM信号时的交流输出波形。 *红线为加入PWM信号的交流输出波形。 经隔离变压器后实测输出波形。 (二)SPWM模拟控制变频调速系统 8038单片函数发生器的 外围接线 * 电路适用范围：中小容量变频调速 二．单片机控制的PWM变频调速系统 (一) 单片机控制的PWM变频器结构 * 结构a）中单片机既完成电压频率运算，又完成PWM波形合成 转速开环a * 该结构b）中单片机只完成电压频率运算，由SPWM专用大规模集成电路 产生脉宽调制波形。 接异步电动机 转速开环b 转速闭环a 转速闭环b (二) 单片机控制的PWM变频调速系统实例 控制系统使用16位的MCS-8098单片机来完成电压频率运算、故障保护及显示处理，使用HEF4752专用大规模SPWM集成电路完成控制波形合成，并扩展了外部程序存储器Intel2764、可编程接口芯片Intel8255、通用键盘/显示器芯片Intel8279进行内存扩展或功能连接。控制电路中的可编程乘法器CD4527用来提供HEF4752所需的各种控制脉冲。 主电路图 控制电路图 HEF4752控制脉冲，由8