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第二章 P N 结 2015,03/02-06/10 * 半导体器件物理 Physics of Semiconductor Devices 许高斌，博士、教授 Prof. Gaobin Xu Micro Electromechanical System Research Center of Engineering and Technology of Anhui Province, School of Electronic?Science? Applied Physics, Hefei University of Technology, Hefei China 230009 Email：gbxu@hfut.edu.cn, Tel: 0551) 讲授内容 （1-15周/28） PN结 双极结型晶体管 金属-半导体结 JFET和Metal-Semi.-FET MOSFET场效应晶体管 其他半导体器件 课程要求 掌握典型半导体器件的原理、特点及应用 学习分析典型半导体器件的方法 提高解决实际问题的能力 考试要求 平时成绩 30% 期末考试 70％ 热平衡PN结 第二章 PN结 Lecture 1：§2.1 1. PN结的形成机理与接触电势 2. 空间电荷区的电场与宽度 3. 平衡PN结的载流子分布 一般将锗和硅称为第一代半导体材料。