气相输运法气相输运法.doc

重庆市第十六届高校教师岗前培训 教 案 （教学实践） 班级：2班 学号： 80 课程名称：材料合成制备技术 本课内容：气相输运合成法 主讲教师：程江  材料合成制备技术 气相输运合成法 一、物质化学反应类型 ①气相反应 ②气-液反应 ③气-固反应 ④液相反应 ⑤固-液反应 图1物质的基本反应类型 1.1 气体与物质的相互反应 图2 气体与物质的相互反应类型 二、气相输运合成法定义 气相输运合成法，简称气相输运法或VT法，一般是通过加热等条件使物质挥发或分解出气体，通过输运至温度较低的位置并与其他物质发生反应的材料合成方法。 三、气相输运法的工艺 3.1 设备条件 分段控温的管式炉 封闭或半封闭的保护性环境，常见的合成容器为具有一定长度的高纯石英管。 3.2 合成步骤 将不同的原料（A和B）分别放置于合成容器内相应的位置，抽真空并密封 加热原料A，使气体C从原料挥发出来，达到分解平衡，平衡分压为P。 热端的C气体向冷端输运并与A发生反应，平衡分压P降低。 原料A中继续挥发出C气体。 图3气相输运法合成过程 四、气相输运法的特点 提高气体与固体或液体的反应效率。气体源源不断地从原料中分解或挥发，反应具有可持续性。 提高合成物质的提纯。原料经分解或挥发后，难挥发杂质将留在原料区，提高合成产物的纯度。 实现低压下合成某些难合成化合物。 例如 GeP、AgGaS2等。 可以合成难以通过固相或固-液反应合成的特殊的化合物，如ZnP2。 化学气相沉积（CVD）外延生长晶体。如在一端放入原料，另一端放入衬底材料，通过输运方式沉积可获得优质的二维或三维晶体。如以NH3和HCl为载气在蓝宝石衬底生长ZnO晶体。 五、常见的气相输运法 高温-低温型 高温-低温-高温型 高温-低温-次高温型 图4 常见的气相输运法的温场曲线 六、气相输运法的设备 图5 两温区合成炉 七、气相输运法的优缺点 7.1 优点 设备简单 安全 可控 合成产物纯度高 7.2 缺点 可视化难度大 产量较低 八、应用前景 常规条件下难以合成的化合物制备（如P化物、S化物） 高质量的多元化合物的合成（多元化合物半导体，如CuGaSxSe(2-X)、CdGeAs2等） 合成容器 合成容器 合成容器