半导体压敏电阻器全解.ppt

3.4.2相分布 ZnO陶瓷半导体的相分布问题，不同研究者有着不同的看法，归纳起来，前后大致可分如下面两种观点。 （1）晶界相的连续分布图象 这一观点认为，ZnO晶粒构成陶瓷半导体的主晶相，而富Bi相则形成连续的三维网络，完全包裹ZnO晶粒，尖晶石相和焦绿石相相继地分布在富Bi相中，这样，富Bi相、尖晶石相和焦绿石相一起构成一连续的晶界 层，其厚度约在200～2000?之间，这从富Bi液相完全润湿了ZnO晶粒，从而促进烧结的角度看，这种连续分布图象符合上述各相组成的作用，但随着新的显微技术和分析手段的发展与应用，这种分布图象已不断为实验结果所否认。 （2）晶界相的非连续分布图象 通过俄歇电子频谱分析和高分辨力电子显微镜的观测，大多数ZnO晶粒并没有晶界相存在。上述各相组成主要分布在3～4个晶粒的交角处，并没有完全包裹ZnO晶粒。 多数晶粒是自相接触，它们仅被晶粒边界所分隔，观测到的这种晶粒边界的宽度在 20?左右，这样窄的晶界是不足以形成分离相的，它们只起了表面态的作用，由此就造成这样的一种分布图象，晶界相主要分布在3～4个晶粒的交接处，因此是不连续的；富Bi层处于大多数ZnO晶粒之间，对非线性特性起着重要的作用。 3.5 ZnO压敏电阻器的性能特点 1．具有优良的非线性特性 ZnO压敏电阻器伏安特性的非线性指数大，a值可达到50以上。因此在标称电压以下的低压范围几乎没有漏电流形成，其绝缘电阻可以高达1010Ω以上，在大电流范围使用时，常用V100A/ V1mA来衡量抑制过电压的效果，其电压比为1.8~2.2,因此这种压敏元件的抑制电压低，保护效果好。 此外， ZnO压敏电阻器的 I—V特性还具有很好的一致性，如在 100A的大电流下使用，元件约有15％的分散性，而ZnO元件只有5％（? 2.5％）的分散性，再经筛选后V1mA的分散性可以控制在1％以内，这不仅可以保证避雷器等长期可靠性，而且还会给元件生产带来的巨大的经济效益。 2 使用电压范围宽 这种压敏元件可以制成几伏到上千伏的单个元件，也可以通过串联组合制成更高电压的器件，如至一九七八年3.3～500KV的无间隙避雷器已完成了系列化，现正向1000KV高压发展，是目前世界上能在几万伏高压电路作稳压和过压保护的唯一固体元件。 3 通流能力大 ZnO压敏电阻器的通流能力可达2500～3000A/cm2。且经受大电流的冲击后，其放电电压和压敏电压具有较高的稳定性，也就保证了器件长期使用的可靠性。 4 伏安特性具有很好的对称性 ZnO压敏电阻器在直流电路，交流电路和脉冲电路中都可以使用，并且由于无方向性而便于安装使用。 3.6 压敏电阻器的应用 如前所述，半导体压敏电阻器在电力系统，电子线路和家用电器都可以得到广泛的应用，如在各种直、交流电路中作过压保护、火花熄灭、稳压、分压、补偿和自动控制等压敏器件。 3.5 ZnO陶瓷半导体的导电机理 关于ZnO陶瓷半导体的导电机理，自六十年代以来，不少人在显微结构和电流的传输现象上都进行了多方面的研究，提出了各种不同的导电模型，解释ZnO压敏电阻器的伏安特性，但到目前为止，所得到的导电模型都还未能圆满地解释ZnO压敏电阻器的全部实验结果， 下面只就其发展过程，大致分成三个阶段进行简单的介绍。 第一阶段以Matsuoka提出的空间电荷限制电流模型为标志。 一九七一年， Matsuoka提出了空间电荷限制电流的理论模型，这个理论以绝缘晶界完全包覆ZnO晶粒为基础，并假设晶界中存在着大量的电子陷阱，根据这一理论，击穿电压VTE为 B为晶界绝缘层的厚度，NT为陷阱密度，?为介电系数 由上式（4—3—5）可见，VTE与 NT成比例增加，而NT是对成分和工艺敏感的物理量，因此，由该理论应得出击穿电压对成分和工艺敏感的结论。 但是人们对晶界层的组成，结构及其压敏电压的大小的测量进行了大量的工作，结果发现压敏电压对成分和工艺并不敏感，这与空间电荷限制电流所预言的结果相反。 也就是说，这个理论不能解释压敏电压对成分和工艺的迟钝性，不过，这一理论在解释附加剂形成陷阱对非线性的影响方面还是适合的。 2．第二阶段以Levison提出的肖特基发射和Fowler-Naedhein隧道效应为标志。 这一理论把伏安特性分成两段，分别用肖特基发射和隧道效应的场发射来说明。 虽然这个理论解释许多实验观察到的现象，但它的致命缺点是必须假定晶界相的厚度须小于200?以适应隧道效应的要求，且由于理论本身的缺陷，而无法预示大于50的特高a值 3．第三阶