太阳能电池知识介绍-1.pptVIP

等离子体刻蚀—刻蚀的目的 由于在扩散过程中，即使采用背靠背的单面扩散方式，硅片的所有表面（包括边缘）都将不可避免地扩散上磷。PN结的正面所收集到的光生电子会沿着边缘扩散有磷的区域流到PN结的背面，而造成短路。此短路通道等效于降低并联电阻。 经过刻蚀工序，硅片边缘的带有的磷将会被去除干净，避免PN结短路造成并联电阻降低。 等离子体刻蚀—刻蚀原理 通常的刻蚀方法包括干法刻蚀和湿法刻蚀。 我们目前使用的刻蚀工艺就是干法刻蚀，其工作机理为： 使用等离子体进行刻蚀。采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或各种游离基，这些活性粒子扩散到硅片边缘，在那里与硅进行反应，形成挥发性生成物四氟化硅而被去除。 等离子体刻蚀—常见问题 关键的工艺参数是射频功率和刻蚀时间，效果反应为有效刻蚀宽度。 刻蚀不足：电池的并联电阻会下降。 射频功率过高：等离子体中离子的能量较高会对硅片边缘造成较大的轰击损伤，导致边缘区域的电性能差从而使电池的性能下降。在结区（耗尽层）造成的损伤会使得结区复合增加。 刻蚀时间过长：刻蚀时间越长对电池片的正反面造成损伤影响越大，时间长到一定程度损伤不可避免会延伸到正面结区，即出现钻刻现象，从而导致损伤区域高复合。 射频功率太低：会使等离子体不稳定和分布不均匀，从而使某些区域刻蚀过度而某些区域刻蚀不足，导致并联电阻下降。 去PSG清洗 去PSG清洗—目的 扩散后清洗又称去PSG工序。 去PSG清洗—目的 在扩散过程中发生如下反应： POCl3分解产生的P2O5淀积在硅片表面， P2O5与Si反应生成SiO2和磷原子： 这样就在硅片表面形成一层含有磷元素的SiO2，称之为磷硅玻璃。 去PSG清洗—目的 这一薄层的厚度很是不均匀，不能充分被利用做减反，加上薄层中的富P原子对后道高温之后可能起到的负面影响，所以磷硅玻璃层是需要去掉的。 此工序的目的就是将这一层物质去除干净。 酸洗 水洗 喷淋 甩干 去PSG清洗—注意事项 由于掺P的硅片表面要比掺B的硅片表面更容易氧化，也就是说，扩散面相比要更容易被氧化，所以，清洗后的硅片必须尽快镀膜。原则上是清洗过后的硅片应立即镀膜，不允许停留；如果带有水的硅片，在空气中停留时间过长，将会在镀膜工序出现水纹印现象，影响外观。 有氢氟酸和硅片接触的地方，禁止近距离使用照明。 烘干或甩干的时间不能随便缩短！防止干燥不彻底。 当硅片从1号槽氢氟酸中提起时，观察其表面是否脱水，如果脱水，则表明磷硅玻璃已去除干净；如果表面还沾有水珠，则表明磷硅玻璃未被去除干净。 PECVD PECVD—SiNx:H减反射膜 PECVD=Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition 即“等离子增强型化学气相沉积”，是一种化学气相沉积。 PECVD是借助微波使含有薄膜组成原子的气体电离，在局部形成等离子体，而等离子化学活性很强，很容易发生反应，在基片上沉积出所期望的薄膜。 PECVD—SiNx:H减反射膜 物理性质和化学性质： 结构致密，硬度大 能抵御碱金属离子的侵蚀 介电强度高 耐湿性好 耐一般的酸碱，除HF和热H3PO4 在太阳能电池上作为减反射膜可以兼具减反射和钝化的作用。 PECVD—SiNx:H减反射膜 光照射在硅片表面时，反射会使光损失约三分之一。如果在硅表面有一层或多层合适的薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少，这种膜称为太阳电池的减反射膜（ARC，antireflection coating）。 在真空或大气中，如果硅表面没有减反射膜，长波范围(1.1μm)入射光损失总量的34%，短波范围(0.4 μm)为54%。即使在硅表面制作了绒面，由于入射光产生多次反射而增加了吸收，但也有约14%以上的反射损失。如果在硅的表面制备一层透明的介质膜，由于介质膜的两个界面上的反射光相互干涉，可以在很宽的波长范围内降低反射率。 PECVD—SiNx:H减反射膜 硅片表面形成一层减反射膜，增加对光线的吸收，减少反射 光照射在硅片表面时，因为反射会使光损失约三分之一。如果在硅表面有一层或多层合适的薄膜，利用薄膜干涉原理，可以使光的反射大为减少。因此当膜厚为光的四分之一波长时，光发生干涉，获得最好减反射效果。 氢原子搀杂在氮化硅中附加了氢的钝化作用 硅片材料中存在大量的杂质和缺陷，显著降低了硅片中的少数载流子的寿命，从而影响太阳电池的短路电流和电池的转换效率，反应的氢能够进入硅晶体中，钝化硅中的杂质和缺陷的电活性，降低电池表面复合速率，增加少子寿命，进而提高开路电压和短路