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回授振盪器
*/38 電子學 第八版 Floyd 第十六章 回授振盪器 振盪器是一種只需要直流輸入供應電壓,就能產生週期性波行的電子電路。在一個回授振盪器裡,回授的一小部份的輸出也沒有淨 相位移。 摘要 如果回授電路送回同相訊號,一個非反相放大器產生正回授。 如果回授電路送回反相的訊號,則反相放大器產生正回授。 回授振盪器 回授振盪器需要小的擾亂,譬如熱力的雜訊,來開始產生振盪。這個初始的電壓開啟了回授的過程及振盪。 摘要 電腦模擬,譬如 Multisim, 使用數位的訊號,並沒有熱力的雜訊。這對電腦模擬振盪器產生了一些困難。 韋恩電橋振盪器 RC 回授用在各種的低頻率正弦波振盪器裡。教科書中提及了三種:韋恩電橋振盪器、相移振盪器、以及雙T 振盪器。 摘要 韋恩電橋的回授電路使用領前-滯後電路。當R 及C 有相等的值時,在某個特定的頻率其輸出會是輸入的 ? ,在此頻率其相位移為 0o。 韋恩電橋振盪器 基本的韋恩電橋使用領前-滯後網路來選擇一個特定的放大頻率。分壓器設定增益來彌補回授網路的衰減。 摘要 非反相放大器必須要有一個剛好為 3.0 的增益,由 R1 及 R2 來設定,藉以彌補衰減。 如果增益太小,振盪不會發生; 如果增益太大則正弦波會被截掉。 分壓器 領前-滯後 網路 韋恩電橋振盪器 為了要能產生精確的增益,韋恩電橋需要某種的自動增益控制 (AGC)。一種常用的 JFET 電晶體 AGC 電路如圖所示。 摘要 主要的 AGC 電路元件如右圖黃色的部份。二極體將 C3 充電至負的訊號峰值。這樣產生了相對於輸出位準的 JFET 閘極偏壓。 韋恩電橋振盪器 JFET 運作在歐姆區內,如果情況改變時,可以迅速地改變阻抗。 摘要 回想從第 8 章中 JFET 可以在歐姆區中扮演一個可變電阻的角色。如果輸出增加,偏壓會變得大些,汲源間的阻抗也跟著增加(反之亦然)。在韋恩電橋振盪器中,JFET 汲源極的阻抗控制了運算放大器的增益,它也會補償輸出的任何改變。 歐姆區 韋恩電橋振盪器 當在回授電路中的 R 及 C 值相等時,電橋的頻率是 摘要 10 kW 1.0 kW 10 kW 680 W 680 W 4.7 nF 4.7 nF 1.0 mF 求圖中韋恩電橋的 fr 值? = 48.9 kHz 相移振盪器 相移振盪器在回授路徑中使用三個 RC 電路,並在某一個頻率有 180o 的全部相位移 ─ 因為這個原因,此電路需要用一個反相放大器。 摘要 即使有相同的R 及C,相位移在每一級的RC 電路中,因為負載效應,會有稍許的不同。當所有的 R 及C 值相等時,回授訊號將有29倍率的衰減。 相移振盪器 相移振盪器振盪的條件是,如果所有 R 及 C 的值是相等的,放大器必須要有起碼的增益值 29 來彌補回授電路造成的衰減。這表示 Rf /R3 ≥ 29。 摘要 在這些情況下,振盪的頻率是決定於 相移振盪器 Multisim 可以模擬相移振盪器,但啟動有困難。如例題 16-3 Multisim 的檔案,用一個開關來造成電壓的雜訊尖波,因而啟動振盪。在實際的電路這是不需要的。 摘要 相移振盪器 摘要 設計一個頻率為 800 Hz 的相移振盪器。電容值是 10 nF。 開始先找出回授電路內需要的電阻值: 8.12 kW (使用 8.2 kW。) Rf = 29R = 238 kW。 計算所需要的回授電阻: 10 nF 10 nF 10 nF 8.2 kW 8.2 kW 8.2 kW 238 kW 下面一張投影片顯示 Multisim 的檢查。 相移振盪器 摘要 因為 Rf 不是很精確,你會看到 Multisim 裡的輸出似乎 “大”了些。在實際的電路上,你可以使用一個電位計來調整精確的增益,但是電路隨溫度的改變會變得更敏感。 相移振盪器 摘要 你也可以使用背靠背的齊納二極體來限制輸出。 使用 1N4372A (3.0 V) 的齊納,其輸出限制在大約 7 Vpp 左右。 雙 T 振盪器 基本的雙 T 振盪器結合了一個低通及一個高通濾波器,使其在振盪頻率處形成一個陷波濾波器。 摘要 一個極好的陷波濾波器可以如圖所示,使用一個有兩倍關係的 R 及 C 值。 R R R/2 C C 2C 振盪頻率在這種關係下大約是 雙 T 振盪器 兩個基本電路的修改如圖所示 – 加了並聯的二極體及 R6 來衰減諧波,明顯地減少了失真。加了電位計可調整輸出振幅。 摘要 頻率稍微高於預測的值 1.94 kHz 。 當加上 ±15 V 的電源,頻率量測值為: f = 2.28 kHz @2.0 Vpp 振幅 = 0 to 27 Vpp 考畢子振盪器 LC 回授振盪器在回授路徑中使用諧振電路。一個常用的 LC 振盪器是 摘要 考畢子振盪器。它在諧振電路中使用兩個串
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