扫描隧道显微镜全解.pptVIP

STM单原子的放置 Pt针尖材料在Si(111)-7?7表面加工Pt纳米点 A、B纳米点由1个电压脉冲加工而成，直径1.5nm；C、D由2个电压脉冲加工而成，直径2nm STM单原子的提取再放置操纵 在Si(111)-7?7表面Si原子操纵的提取再放置过程 6.0nm?6.0nm 原子尺度器件应用的可能性 单原子存储器的阅读：用STM或类似装置来实现。 单原子存储器的容量： e.g.1cm2的Si(111)-7?7表面，可存储1015比特点信息（相当于1.3Mb磁盘存储器的7亿6900万倍）。 单原子存储器目前的难题： 单原子操纵和图像扫描速度还太低——不能满足信息存储、删除和阅读到速度； 信息存取的可靠性还太低。 * 对于半导体，观测的效果就差于导体；对于绝缘体 则根本无法直接观察。如果在样品表面覆盖导电层， 则由于导电层的粒度和均匀性等问题又限制了图像 对真实表面的分辨率。宾尼等人1986年研制成功的 AFM可以弥补STM这方面的不足。 此外，在目前常用的（包括商品）STM仪器中，一 般都没有配备FIM，因而针尖形状的不确定性往往会 对仪器的分辨率和图像的认证与解释带来许多不确定 因素。 具体应用 扫描 STM工作时，探针将充分接近样品产生一高度 空间限制的电子束，因此在成像工作时，STM具有 极高的空间分辨率，可以进行科学观测。 探伤及修补 STM在对表面进行加工处理的过程中可实时对 表面形貌进行成像，用来发现表面各种结构上的缺 陷和损伤，并用表面淀积和刻蚀等方法建立或切断 连线，以消除缺陷，达到修补的目的，然后还可用 STM进行成像以检查修补结果的好坏。 微观操作 引发化学反应 STM在场发射模式时，针尖与样品仍相当接近， 此时用不很高的外加电压（最低可到10V左右）就可 产生足够高的电场，电子在其作用下将穿越针尖的势 垒向空间发射。这些电子具有一定的束流和能量，由 于它们在空间运动的距离极小，至样品处来不及发散 ，故束径很小，一般为毫微米量级，所以可能在毫微 米尺度上引起化学键断裂，发生化学反应。 移动，刻写样品 当STM在恒流状态下工作时，突然缩短针尖与 样品的间距或在针尖与样品的偏置电压上加一脉冲 ，针尖下样品表面微区中将会出现毫微米级的坑、 丘等结构上的变化。针尖进行刻写操作后一般并未 损坏，仍可用它对表面原子进行成像，以实时检验 刻写结果的好坏。 新型仪器的发展 新型扫描隧道显微镜 在传统（左）和新型（右）扫描隧道显微镜下 看到的PTCDA分子图像。新型扫描隧道显微镜在 探针针尖上吸附了一个氢分子或者氚分子，通过测 量分子所受的压力可以得到更清晰的图像。 扫描隧道显微镜（STM）下的分子一般都是不可分 辨的一团。但是在2010年8月20日《物理通讯快报》 （Physical?Review?Letters）上的一篇文章显示，最 新发展的一种扫描隧道显微镜可以更清楚地看到分 子结构的细节。在这种新型的扫描隧道显微镜的探 针上吸附了一个氢分子或者氘分子（氘是一个原子 核里面含有一个质子和一个中子的氢同位素），探 针上的这个分子受到的压强能够显著地改进显微镜 的清晰度。这种技术能够观测到力对探针导电性能 的影响，使得它比传统的扫描隧道显微镜能更细致 地看到分子的电子结构。 STM基础上发展起的SPM 原子力显微镜（AFM） 利用一个对微弱力极敏感的微悬臂，其末端有 一微小的针尖，由于针尖尖端原子与样品表面原子 间存在极微弱的排斥力，通过扫描时控制这种力的 恒定，同时利用光学检测法 可以测得微悬臂对应于扫描 各点的位置变化，从而可以 获得样品表面形貌的信息。 磁力显微镜（MFM） 摩擦力显微镜（LFM） 静电力显微镜（EFM） 弹道电子发射显微术（BEEN） 扫描离子电导显微镜（SICN） 扫描热显微镜 扫描隧道电位仪（STP） 光子扫描隧道显微镜（PSTN） 扫描近场光学显微镜（SNOM） 在STM基础上发展起来的一系列扫描探针显微 镜扩展了微观尺度的显微技术，为纳米乃至微观技 术的发展提供了很好的技术支持。 STM在不同条件下的应用：高真空＋高温条件下 STM实现原子3维空间的立体搬移 在600?C高温下，通过增大STM针尖和 Si(111)表面之间的偏压而使Si(111)表面 上的Si原子聚集在STM针尖下方，形成一个 纳米尺度的六边形金字塔 直径80；高度约8nm STM在不同条件下的应用：高真空＋高温条件下 STM观察原子的表面重构 在860?C高温下，STM实时观察 Si(111)表面重构而形成 7?7表面结构的过程 54nm?54nm STM在不同条件下的应用：高真空＋高温条件下 STM观