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MOS晶体管的电路模型 最常用的MOS器件模型，称为Shichman-Hodgos模型。在这个模型中，考虑了漏极与衬底以及源极与衬底构成的反向偏置二极管，以及各极间、各电极与衬底之间的电容。 NMOS晶体管基本结构 NMOS晶体管的电路模型 2.3 MOS集成电路工艺技术 工艺步骤是：氧化层生长、热扩散、离子注入、淀积和刻蚀． 还有所谓的光刻工艺，光刻是用来定域半导体面积的一种手段，在此确定的面积上，将进行各种工艺加工步骤． 第一种基本工艺步骤--氧化 氧化是在硅片表面生成一层二氧化硅(SiO2)膜的过程．氧化既生长在硅片表面上，也向硅片里面延伸。一般氧化层约有54％的厚度是在初始表面以上生成，46％的厚度则是在初始表面以下生成。 氧化层厚度用tox。表示． 通常氧化层厚度，薄的可小于500?(栅氧化层)，厚的可大于10000?(场氧化层)。 氧化的温度范围为700-1100℃，氧化层厚度与其生长时的温度及生长时间成比例。 氧化层的作用有三：绝缘层的作用； 保护层的作用； 电介质层的作用。 第二种工艺步骤--扩散 半导体材料中的扩散是杂质原子从材料表面向内部的运动，和气体在空气中扩散的情况相似。 扩散的目的是要在半导体材料表层的某特定区域上形成一个高浓度的杂质区。 根据扩散时半导体表面杂质浓度变化的情况来区分，扩散有两类。 第一种类型是无限源扩散。 第二种类型是有限源扩散。 无限源扩散和有限源扩散分别用于预淀积和再扩散． 预淀积的目的是在靠近材料表面的地方形成一高浓度的杂质区．可扩散到硅中的最大杂质浓度随杂质元素而异。 再扩散是在预淀积之后进行，其目的是将杂质推入半导体内部． 扩散前的衬底杂质浓度和扩散进入衬底的相反类型的杂质浓度相等的地方就是半导体的“结”．这个结位于p型和n型材料之间，故称为“pn结”． 第三种工艺步骤是离子注入 离子注入是将某种杂质的离子用电场加速到一高速度之后，嵌入半导体材料之中． 离子注入的平均穿透深度在0.1-0.6μm之间，取决于离子撞击硅片时的速度． 离子的轨迹受到和其他离子不断碰撞的影响．这种离子注入过程会破坏半导体的晶格结构。 在施行离子注入后将半导体温度升高到800℃退火，使离子处于可动状态并嵌入到半导体晶格中去，可使晶格结构得以恢复完整。 离子注入可以替代扩散，因为这两种工艺的目的都是将杂质掺入半导体材料中。 离子注入和扩散相比，有许多优点。 第一是能准确控制掺杂的浓度(在±5%以内)。产品的重复性很好，这样就可以用它来调整MOS器件的阈值电压或者生产高精度的电阻． 第二是可以在室温下进行注入，然后在较高温度下退火以消除晶格缺陷． 第三是它可以穿透一个薄层注入，因此被注入的材料不必暴露在污染的环境中． 最后一点是离子注入可以控制被注入杂质的分布状况． 第四种工艺---淀积 淀积是在硅片上淀积各种材料的薄膜 。 可以用真空蒸发、溅射，或化学汽相淀积 (CVD)的方法淀积薄膜． 真空蒸发淀积时，固体材料(铝)被放在10-5Torr(1Torr=133.332Pa)的真空中加热至蒸发态．蒸发分子撞击到较冷的硅片，在硅片表面冷凝形成约1μm厚的固态薄膜． 溅射技术是用正离子去轰击涂有需要淀积材料的阴极(靶)．由于动量的直接转化，作为靶的材料被撞出并淀积到放在阳极的硅片上．溅射通常也在真空中进行，但气压的范围是25-75×10-3Torr． 化学汽相淀积是利用在硅片附近发生汽相的化学反应或高温分解而在硅片上淀积一层薄膜的过程．这种淀积工艺一般用于淀积多晶硅、二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)．化学汽相淀积通常在大气压(760Torr)下形成，也可在低压0.3—1Torr下形成． 最后一个生产工艺是刻蚀(即腐蚀) 刻蚀是去除无保护层的表面材料的过程． 由于刻蚀可在各个方向起作用，因此水平方向的刻蚀将产生钻蚀(undercut)．有一些择优的刻蚀工艺可使钻蚀减至最小，但还是无法完全杜绝．同样，如果底层材料的腐蚀速率不是零，为保证顶层材料充分除掉，必然对底层也有—定的腐蚀作用． 需要腐蚀的材料有多晶硅、二氧化硅、氮化硅和金属． (a) 将被掉刻蚀的顶层部分 (b) 刻蚀结果：横向腐蚀和对底层的腐蚀 光刻工艺 到目前为止所讨论的各基本半导体生产工艺，除淀积外都只在硅片上被选中的局部面积上进行．它们的选取是由光刻工艺来实现的． 光刻指的是将掩模版或计算机数据库中存放的图像复制到硅片上的整个过程． 光刻的基本要素是光刻胶和掩模版． 掩模版使部分的光刻胶暴露在紫外光(UV)下，而把另一部分遮档起来． 集成电路由许多层不同的材料组成，借以形成不