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缓冲电路波形 IGBT采用缓冲电路后典型关断电压波形如图所示。图中，VCE起始部分的毛刺ΔV1是由缓冲电路的寄生电感和缓冲二极管的恢复过程引起的。其值由下式计算： ΔV1=LS×di/dt（1） 式中：LS为缓冲电路的寄生电感； di/dt为关断瞬间或二极管恢复瞬间的电流上升率，其最恶劣的值接近0.02Ic（A/ns）。 5-* 采用缓冲电路后IGBT关断电压波形 缓冲电路波形 5-* 如果ΔV1已被设定，则可由式（1）确定缓冲电路允许的最大电感量。例如，设某IGBT电路工作电流峰值为400A，ΔV1≤100V， 则在最恶劣情况下， di/dt=0.02×400=8A/ns 由式（1）得 LS=ΔV1/（di/dt）=100/8=12.5nH 图中ΔV2是随着缓冲电容的充电，瞬态电压再次上升的峰值，它与缓冲电容的值和母线寄生电感有关，可用能量守恒定律求值。如前所述，母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感，在IGBT开通时储存的能量要转储在缓冲电容中，因此有 LPI2/2=CΔV22/2（2） 式中：LP为母线寄生电感； I为工作电流， C为缓冲电容的值； ΔV2为缓冲电压的峰值。 缓冲电路波形 从式（1）和式（2）不难看出，大功率IGBT电路要求母线电感以及缓冲电路及其元件内部的杂散电感愈小愈好。这不仅可以降