实验报告 2实验报 2.doc

计算机组成原理实验报告 实验二 存储器访问实验 实验目的 （1）理解计算机主存储器的分类及作用 （2）掌握ROM、RAM的读写方法 实验要求 1）实验设计目标 设计一个能够对实验台上的存储器读写的部件，满足以下目标： （1）一个16位的存储器地址寄存器。该寄存器在reset为低电平时清零，在 时钟clk的上升沿加1，地址寄存器在超过ox000f后下一个时钟上升沿回到0。 （2）一个标志寄存器，在reset为低电平时复位为0，当存储器地址寄存器等于0x000f后，下一个时钟clk的上升沿标志寄存器翻转。 （3）在标志寄存器为0时执行存储器存数功能，从存储器的0单元开始存16个16位数。按动一次单脉冲按钮，存一次数，存的数由内部产生，不由实验台开关输入。 （4）当标志寄存器为1时，执行从存储器的0单元开始的读数功能。按动一次单脉冲按钮，读一次数，一直读16个数。读出的数据送入一个16位信号R[15..0]暂存。 提示：当需要从存储器读取数据时，首先将ZZZZZZZZZZZZZZZZ赋值给数据总线，然后才能读取存储器中的数据。 2）顶层设计实体的引脚要求 引脚要求对应关系如下： （1）clk对应实验台上的时钟（单脉冲）。 （2）reset对应实验台上的CPU复位信号CPU_RST。 （3）存储器地址总线A[15..0]对应实验台上的指示灯A15—A0。 （4）存储器数据总线D[15..0]对应实验台上的数据指示灯D15—D0。 （5）16位信号R[15..0]对应实验台上的指示灯R15—R0。 （6）存储器读写信号FWR对应实验台上的FWR。 3.实验原理 存储器按存取方式分，可分为随机存储器和顺序存储器。如果存储器中的任何存储单元的内容都可随机存取，称为随机存储器，计算机中的主存储器都是随机存储器。如果存储器只能按某种顺序存取，则称为顺序存储器，磁带是顺序存储器，磁盘是半顺序存储器，它们的特点是存储容量大，存取速度慢，一般作为外部存储器使用。如果按存储器的读写功能分，有些存储器的内容是固定不变的，即只能读出不能写入，这种存储器称为只读存储器（ROM）；既能读出又能写入的存储器，称为随机读写存储器（RAM）。实际上真正的ROM基本上不用了，用的是光可擦除可编程的ROM（EPROM）和电可擦除可编程的ROM（EEPROM）。EEPROM用的越来越多，有取代EPROM之势，比如容量很大的闪存（FLASH）现在用的就很广泛，常说的U盘就是用FLASH做的。按信息的可保存性分，存储器可分为非永久性记忆存储器和永久性记忆存储器。ROM、EPROM、EEPROM都是永久记忆存储器，它们断电后存储内容可保存。RAM则是非永久性记忆存储器，断电后存储器中存储的内容丢失。 1） 随机读写存储器类型 随机存储器按其元件的类型来分，有双极存储器和MOS存储器两类。在存取速度和价格两方面，双极存储器比MOS存储器高，故双极存储器主要用于高速的小容量存储体系。在MOS存储器中，根据存储信息机构的原理不同，又分为静态随机存储器（SRAM）和动态随机存储器（DRAM）。静态随机存储器采用双稳态触发器来保存信息，只要不断电，信息就不会丢失；动态随机存储器利用记忆电容来保存信息，使用时只有不断地给电容充电才能使信息保持。静态随机存储器的集成度较低，功耗也较大；动态随机存储器的集成度较高，功耗低。现在计算机中，内存容量较大，常由动态随机存储器构成。 2）静态随机存储器 静态存储器由存储体、地址译码电路、读写电路和控制电路组成。一个4096×1位的SRAM的结构框图如图6-37所示。图中，A0～A11为地址线，用来寻址存储器中的某一个单元。DIN、DOUT为数据线，实现数据的输入、输出。W/为读写控制信号线，用来实现读写操作控制。为片选信号。 图6-37 SRAM结构框图 3） 动态随机存储器 动态随机存储器（DRAM）和SRAM一样，也是由许多基本存储电路按照行和列来组成的。DRAM是以MOS管栅极和衬底间电容上的电荷来存储信息的。由于MOS管栅极上的电荷会因漏电而泄放，故存储单元中的信息只能保持若干秒，为此DRAM必须附加刷新逻辑电路。另外，DRAM将地址分为行地址和列地址，并分时复用以减少引脚数目。常见的4164芯片即是DRAM。 3 TEC-CA实验台上的存储器器件HM6116 1）存储器HM6116的读写时序 静态随机存储器器件有许多型号，分为同步和异步2大类。HM6116是一种比较常用的异步静态随机存储器器件。它是一种2k X 8bits的存储器器件。图6-38是HM6116器件的外形图。 图6-38 静态存储器HM外形图 图6-38中，A1