AlGaInPLED文献综述..docVIP

AlGaInP LED亮度提升的研究 LED作为一种光源，衡量它的一个重要指标就是光电的转换效率。在实践中，这种效率就是LED的外量子效率。对于一个LED，它的外量子效率ηex可用（1）式表示。 ηex = ηin·Cex （1） 式中：ηin是内量子效率；Cex是逃逸率。 LED内量子效率与外量子效率之间存在巨大的差距。以（AlxGa1-x）0.5In0.5P材料作为有源区的LED具有较高的内量子效率，可达90%以上。而目前影响AlGaInP红光LED性能的主要原因是光提取效率低，即有源区辐射复合产生的光无法从器件内部射出，导致传统红光LED的外量子效率只有3%左右。提高发光效率一般有两种途径：一个是增加光提取效率，例如加厚电流扩展层、倒装结构、透明衬底、分布布拉格反射镜、表面粗化、倒金字塔结构；另一个是通过器件物理研究，改变器件结构，增加电子注入效率，同时减少输入载流子的流失和非辐射复合造成的损失。如增加量子阱的数量，高效率低电压共振腔结构，张应力包层用于异质结也是为了减少电子损耗从而提高发光效率。 提高发光效率的方法具体如下： 分布布拉格反射镜 DBR工作原理：当发光区中光入射角θ大于临界值时，在DBR中由高折射率到低折射率传播发生全反射，但由于DBR层厚小于波长，光仍可从底折射率层中泄漏到下一层，发生所谓的受抑全反射，反射率急剧增大但出现振荡，当θ角增大到某一值时，从有源区到限制层的传播发生全反射，反射率增大到1。 材料的折射率与DBR的反射效果有直接关系，折射率差(△n)越大，反射率R(p)越大，反射效果越好：R(p)≈1-4exp(-2p△n/ns)，另外DBR的周期数也与反射率成正比，式中的p是DBR的对数(pair)，对数越高，反射效果越好。 DBR材料中，铝的组分值越高，串联电阻就越大；而铝组分值减小，要达到高的反射率就需要更多的周期数。周期数增加，界面的质量和重复性的控制就变得更加困难，因此引起光散射而降低反射率。（1）DBR材料 目前用于AlGaInP LED的DBR为AlAs/GaAs、AlxGa1-xAs/GaAsAlxGa1-xAs /AlAs[8] 和等组合。其中AlAs/GaAs DBR有较大的材料折射率差，用较少材料层就能使DBR有很高光谱反射率。但AlAs/GaAs DBR的反射率不能通过增加周期数来提高，这是因为GaAs对可见光的吸收系数很大的缘故：当光入射到下层结构时，已经衰减到很小的数值，即当DBR超出一定厚度时，下层部分对反射率的贡献可以忽略。 （2）DBR结构 常规DBR，生长两种折射率高低不同的材料组成的周期性结构，每层厚度为1/4介质波长。复合DBR，由1周期λ/4的Al0.6Ga0.4As/AlAs和1周期（1+8%）×λ/4的Al0.6Ga0.4As/AlAs复合而成。超晶格DBR，由18.5个周期GaAs(3nm)/AlAs(0.7nm)构成的短周期超晶格替代AlxGa1-xAs而形成AlAs/[GaAs(3nm) /AlAs(0.7nm)]18.5的超晶格DBR结构。超晶格材料是两种不同组元以几个纳米到几十个纳米的薄层交替生长并保持严格周期性的多层膜，事实上就是特定形式的层状精细复合材料。在III-V族化合物半导体器件中，常见的超晶格结构有：GaAs/AlxGa1-xAs, AlxGa1-xAs/AlyGa1-yAs, GaN/AlxGa1-xN, AlxGa1-xN/AlyGa1-yN, AlN/AlxGa1-xN, AlN/GaN等等。 超晶格在半导体器件中有广泛的应用。通过调节超晶格各层厚度和组分或掺杂，可以获得特定的电学特性和光学特性， 还可以提高材料的质量，并能控制材料的应力，应变掺杂超晶格可以降低施主或受主的激活能。具有超晶格结构的半导体激光器，由于载流子输运特性的改善，threshold电流可以得到降低。利用超晶格能带工程，可以得到长波长的子带间跃迁，用于光通信器件。此外，近来的研究表明，利用超晶格，可以获得THz的振荡源。 加厚GaP窗口层 从光的吸收考虑选择GaP作为窗口层材料，GaP的禁带宽度为Eg=2.78eV，对AlGaInP所发出来的光是完全透明不吸收的，所以GaP窗口层的作用是让光能穿透、扩散电流和基板但是P-GaP与空气折射率相差过大，从而造成全反射光较多的问题，可以采用把P-GaP表面粗化的方法。通过表面粗化可以使部分全反射光线以散射光的形式出射，从而提高了出光率。3、表面粗化技术 该方法力图解决因为半导体材料折射率（平均3.5）大于空气折射率而使入射角大于临界角的光线发生全反射无法出射所造成的损失。 在芯片的上表面构造一层二维微孔阵