电工学中册电子技术第2版教学课件作者杨世彦哈尔滨工大电工教研室主编_第1章课件.pptVIP

1.6.4　光电耦合器 图1-41　双列直插式光耦 1.6.4　光电耦合器 图1-42　几种常用光电耦合器的图形符号 (3) 集-射极反向饱和电流ICEO　 集-射极反向饱和电流是当基极开路时的集电极电流。因为它好像是从集电极直接穿透BJT而到达发射极的，所以又称为穿透电流。ICEO受温度的影响很大，在数值上约为ICBO的β倍，ICBO愈大、β愈高，BJT的温度稳定性愈差。一般硅管的ICEO比锗管的小2～3个数量级。 (4) 集电极最大允许电流ICM　 集电极电流IC超过一定值时，BJT的β值要下降。当β值下降到正常值的三分之二时的集电极电流，称为集电极最大允许电流ICM。因此，在使用BJT时，IC超过ICM并不一定会使BJT损坏，但以降低β值为代价。 (5) 集-射极反向击穿电压U(BR)CEO　 基极开路时，加在集电极和发射之间的最大允许电压称为集-射极反向击穿电压U(BR)CEO。当BJT的集-射极电压UCEU(BR)CEO时，集电结将被反向击穿，ICEO会突然大幅度上升。手册中给出的U(BR)CEO一般是常温(25℃)时的值，温度升高后，其数值要降低，使用时应特别注意。 (6) 集电极最大允许耗散功率PCM　 图1-26　BJT的安全工作区 1.4.5　双极型晶体管简化的小信号模型 图1-27　BJT小信号模型的建立 1.5　绝缘栅型场效应晶体管 1.5.1　基本结构和工作