mos二极管..doc

实验一、了解晶体管（双极或者MOS）的基本图形结构 一、实验目的 通过观察去除封装的晶体管的电极分布情况，学会显微镜的使用，并通过显微镜的千分尺来学习测量金属条的宽度。最终掌握一种基本分析失效器件的手段——显微观察。 二、实验要求 在显微镜下观察给定结构的器件芯片，分辨各个有效作用区、弄清器件的版图及电极位置。 三、实验报告 1、绘制出晶体管的平面金属布线图，并根据管脚连接情况，标注相应的电极，比如双极晶体管，标出发射极（e）、基极（b）和集电极（c）。比如图1为GaAs的场效应器件的金属布线图。 2、画出上述相应器件的纵向结构图，即沿上面的平面金属布线的器件工作区域切开器件的话，所对应的各个扩散区的位置图。绘制的图如图2所示 3、测量给定图形的金属条宽度 说明：图1，图2是为了说明让大家绘制的图形的最终情况，与实验中的器件无关。 实验二、晶体管（双极）直流参数的温度特性 一、实验目的 通过测量双极晶体管在室温和高温（100℃左右）下器件的各直流参数，了解器件的各直流参数与温度的关系。 二、实验要求 1、弄清双极型晶体管主要参数的物理意义和使用半导体参数的基本方法。 2、测试样品为NPN或PNP管，区分这两类器件的类型和引脚 3、测量室温下晶体管的输出特性曲线，be结的正反向特性曲线。 4、测量高温下晶体管的输出特性曲线，be结的正反向特性曲线。采用烙铁加温2-3分钟后进行测量。 三、实验报告 1、根据室温下器件输出特性曲线，绘制出转移特性曲线。 2、根据高温下器件输出特性曲线，绘制出转移特性曲线。 3、对比上述两条曲线，给出放大倍数随温度的变化趋势。 4、将室温和高温下be结正反向I-V特性曲线绘制在同一个坐标里，给出be结的漏电流和正向导通电压在不同温度下的具体数值，并给出两个参数与温度的变化趋势。 实验三 热阻测试仪的使用 一、实验目的 通过本实验学习电学法测量器件的热阻。测量大功率双极晶体管在工作条件下器件的热阻分布，了解器件的瞬态热阻和稳态热阻的测量及计算方式。 二、实验要求 1、弄清热阻的基本概念，稳态热阻与哪些参数有关并了解大功率双极型晶体管主要参数的物理意义和使用半导体参数的基本方法。 2、 学习瞬态热阻的测量及基本计算过程。 三、实验报告 按照要求测量器件的瞬态热阻，并将不同加热功率和不同加热时间下的瞬态热阻进行对比，找找他们的规律 BJ2984型晶体三极管瞬态热阻测试实验原理 本仪器可对各种类型0~750w的锗、硅PNP及NPN晶体三级管的瞬态热阻参数进行快速测试。选取通过小的测试电流If的发射结正向压降作为被测管的热敏参数，利用特定条件下的温度系数M（约为-1.5mV/到-2.5mV/）曲线之聚焦特性，实现了不用恒温槽系统的M参数快速测试。测量对被测管施加的脉管为1ms-1s的单次功率脉冲前后的变化，即可测定被测管在不同脉宽工作条件下的各种瞬态热阻参数。从而可以确定被测管的最大允许脉冲耗散功率和绘制其安全工作区的最大允许脉冲功耗线，亦可对批量生产的晶体三极管进行中间测试及成品进行快速筛选和测试。 本仪器也可测试各类晶体三极管在施加10s-5000s单次功率脉冲时的等效结温Tj，对以环境温度Ta为参考点的小功率晶体三极管可直接测定其稳态热阻参数，对以壳温Tc为参考点的大功率晶体管，当用户在自行给定的散热条件下测量出壳温Tc数值时，亦可确定其稳态热阻参数。 本仪器的配套电源为本厂生产的WD9型（100v/5A和300v/2.5A两档）晶体管直流稳压电源。 1技术参数： 测试功率：0-750W(100v/5A或300v/2.5A). VCB电压：0-300V连续可调。分两档：0~300V；0~100V；误差% IE电流：0-5A连续可调。分六档：0-0.1A；0-0.2A；0-0.5A；0-1A；0-2A；0-5A； 误差% M数字电压表：0-4.00（mV/）.误差：%2个字 数字电压表：0-999（mV）误差：%2个字 单脉冲信号脉宽：1ms-1000s 分七个档：1ms，10ms，100ms，1s（瞬态热阻测量）10s，100s，1000s（稳态热阻测量）。 脉冲扩展：*1、*2、*5 ；误差% 7.测试时间：A.瞬态热阻测试：3s；B.稳态热阻测试：（10s~5000s）+2s 8.仪器消耗功率：300w. 9.仪器外形尺寸：480*440*188mm(不包括测试盒) 10.仪器重量：约20kg。 2使用条件： 环境温度：0- +40 相对湿度：在+40时不大于80% 大气压力：75030mmHg 电源电压：~220v10% 电源频率：50HZ2HZ 机器预热时间：15分钟 仪器连续工作时间：8