《光纤通信》第4章复习思考题参考答案..docVIP

第4章 复习思考题 参考答案 4-1 简述半导体发光基理 答：在构成半导体晶体的原子内部，（）（），（），4.2.1所示。这时发出的光，所决定。能带差和发出光的振荡频率之间有的关系，h 是普朗克常数，?10?34 J?s?。由得出 （?m） （4.2.1） c 为光速，eV）。 图4.2.1 半导体发光原理 4-2 简述激光器和光探测器的本质区别 答：发光过程，，的光所激发而发出与之同频率、同相位的光（激光），即受激发射，4.2.2（b） 图4.2.2 光的自发辐射、受激发射和吸收 反之，的光照射到占据低能带的电子上，上。在半导体结上外加电场后，上的电子，，4.2.2（c），能级时，它们各自独立地分别发射一个一个的光子。因此，，，，，，4.2.2（），，，，，，，和分别表示高、低能带上的电子密度。当时，，，只能出现普通的荧光，，，，，g 0，受激发射占主导地位，，P-N结区成为对光场有放大作用的区域（），4.2.3所示。 4-6 说出产生激光的过程 答：激光器工作在正向偏置下，，，，，和分别表示高、低能带上的电子密度。当时，，，只能出现普通的荧光，，，，，增益系数g 0，受激发射占主导地位，，PN结区成为对光场有放大作用的区域（），4.2.2（b）和图4.2.3所示。 半导体材料在通常状态下，，的状态为粒子数反转。使有源区