[2010-2-半导体器件基础.ppt

一、场效应管概述 根据结构场效应管的分类 结型场效应管JFET MOS型场效应管 场效应管（Field Effect Transistor，FET）：是仅由一种载流子参与导电的半导体器件，是以输入电压控制输出电流的的半导体器件。也称为单极型晶体管。 结型场效应管：Junction Field Effect Transistor, JFET MOS型场效应管：Metal Oxide Semiconductor FET,MOSFET 根据载流子场效应管的分类 N沟道FET：电子作为载流子 P沟道FET：空穴作为载流子 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 一、场效应管概述(续） 场效应管与晶体管的区别 1. 晶体管是电流控制元件；场效应管是电压控制元件。 2. 晶体管参与导电的是电子—空穴，因此称其为双极型器件； 场效应管是电压控制元件，参与导电的只有一种载流子， 因此称其为单极型器件。 3. 晶体管的输入电阻较低，一般102~104?； 场效应管的输入电阻高，可达109~1014?。 4.其他：FET体积小、重量轻、寿命长、热稳定、更便于集成、易受静电影响。 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. MOS场效应管 N沟道增强型的MOS管 P沟道增强型的MOS管 N沟道耗尽型的MOS管 P沟道耗尽型的MOS管 MOS场效应管分类 二、MOS场效应管 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ? N沟道增强型MOS场效应管结构 漏极D→集电极C 源极S→发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 1.增强型MOS场效应管 栅极G→基极B 源极S→发射极E 漏极D→集电极C Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 选择填空： 1.稳压二极管通常工作在（ ）状态下，能够稳定电压。 A正向导通 B反向截止 C反向击穿 答：C 2. PN加反向偏置时，空间电荷区（ ）。 A.变宽 B.变窄，C.不变。 D.不确定 答：A Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 2.4 双极型晶体管 一、晶体三极管的结构及工作原理 二、三极管的伏安特性曲线 三、三极管的参数 四、温度对三极管参数的影响 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 一、晶体三极管的结构及工作原理 双极结型晶体管（Bipolor Junction Transistor BJT) BJT特点：有三个引出电极，所以双极结型晶体管BJT也称为晶体三极管或简称晶体管或三极管。 三极管符号 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 一、晶体三极管的结构及工作原理（续） ? 三极管的结构 E-B间的PN结 称为发射结(Je) C-B间的PN结 成为集电结(Jc) 从结构上看主要有两种类型： NPN型 PNP型 发射区 集电区 基区 发射极E 基极B 集电极C 发射极E 基极B 集电极C 发射区 基区 集电区 发射结 集电结 发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 Evaluation only.