APD实验指导书V1.01APD实验指导书V1.01.doc

目 录 第一章 APD光电二极管综合实验仪说明 - 2 - 二、实验仪说明 - 2 - 1、电子电路部分结构分布 - 2 - 2、光通路组件 - 3 - 第二章 APD光电二极管特性测试 - 4 - 1、APD光电二极管暗电流测试 - 6 - 2、APD光电二极管光电流测试 - 7 - 3、APD光电二极管伏安特性 - 7 - 4、APD光电二极管雪崩电压测试 - 7 - 5、APD光电二极管光照特性 - 8 - 6、APD光电二极管时间响应特性测试 - 8 - 7、APD光电二极管光谱特性测试 - 9 - APD光电二极管综合实验仪说明 一、产品介绍 雪崩光电二极管的特点是高速响应性和放大功能。雪崩光电二极管(APD)的基片材料可采用硅和锗等材料。其结构是在n型基片上制作p层，然后在配置上p+层。一般上部的电极制作成环状，这是考虑到能获得稳定的“雪崩”效应。外来的光线通过薄的p+层，然后被p层吸收，从而产生了电子和空穴。由于在p层上存在着105V/cm的电场，因此位于价带的电子被冲击离子化后，产生雪崩倍增效应，电子和空穴不断产生。 这种元件可以用作0.8m范围的光纤通信的受光装置和光磁盘的受光期间还，能够有效地处理微弱光线的问题，当量子效率为68%以上时，可得到大于300MHz的高速响应。工作电压小于180V时，则暗电流仅为0.3nA。采用锗的APD所使用的波长范围接近于1m,由于它专用于光纤通信，所以其响应速度高达600MHz以上，偏压30V以下时，可获得高于55%的量子效率。暗电流很大，为0.5uA左右。GCAPD-B型APD雪崩光电二极管综合实验仪主要研究APD光电二极管的基本特性，如光电流、暗电流、光照特性、光谱特性、伏安特性及时间相应特性等，以及这种光敏器件与其它光电器件的应用差别。 二、实验仪说明 1、电子电路部分结构分布 电子电路部分功能说明 （1）电压表：独立电压表，可切换三档，200mV，2V，20V，通过拨段开关进行调节，白色所指示的位置即为所对应的档位。 “+”“-”分别对应电压表的“正”“负”输入极。 （2）电流表：独立电流表，可切换四档，200uA，2mA，20mA，200mA通过拨段开关进行调节，白色所指示的位置即为所对应的档位。 “+”“-”分别对应电压表的“正”“负”输入极。 （3）照度计电源：红色为照度计电源正极，黑色为照度计电源负极。 （４）直流电源：0～200V可调，“0～200V”为直流电源的正极，另一端为负极。 （５）信号测试单元： TP1：与T1直接相连 TP2：与T2直接相连 TP ：光脉冲调制信号测试端 注：信号测试单元的GND与直流电源0～200V不共地。 2、光通路组件 图1 光电二三极管光通路组件 功能说明： 分光镜：50%透过50%反射镜，将平行光一半给照度计探头，一半给等测光器件，实验测试方便简单，照度计可实时检测出等测器件所接收的光照度。 光器件输出端：红色——APD光电二极管“P”极 黑色——APD光电二极管“N”极 第二章 APD光电二极管特性测试 一、实验目的 1、学习掌握APD光电二极管的工作原理 2、学习掌握APD光电二极管的基本特性 3、掌握APD光电二极管特性测试方法 4、了解APD光电二极管的基本应用 二、实验内容 1、APD光电二极管暗电流测试实验 2、APD光电二极管光电流测试实验 3、APD光电二极管伏安特性测试实验 4、APD光电二极管雪崩电压测试实验 5、APD光电二极管光电特性测试实验 6、APD光电二极管时间响应特性测试实验 7、APD光电二极管光谱特性测试实验 三、实验仪器 1、光电探测综合实验仪 1个 2、光通路组件 1套 3、光照度计 1台 4、光敏电阻及封装组件 1套 5、2#迭插头对（红色，50cm） 10根 6、2#迭插头对（黑色，50cm） 10根 7、三相电源线 1根 8、实验指导书 1本 9、示波器 1台 四、实验原理 雪崩光电二极管APD—Avalanche Photodiode是具有内部增益的光检测器，它可以用来检测微弱光信号并获得较大的输出光电流。 雪崩光电二极管能够获得内部增益是基于碰撞电离效应。当PN结上加高的反