大一物理实验报告霍尔效应与应用设计分析.docxVIP

霍尔效应与应用设计【实验目的】通过实验掌握霍尔效应基本原理，了解霍尔元件的基本结构；学会测量半导体材料的霍尔系数、电导率、迁移率等参数的实验方法和技术；学会用“对称测量法”消除副效应所产生的系统误差的实验方法。 学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。【预备问题】霍尔效应在基础研究和应用研究方面有什么价值？如何利用实验室提供的仪器测量半导体材料的霍尔系数？ 怎样判断霍尔元件载流子的类型，计算载流子的浓度和迁移速率？伴随霍尔效应有那些副效应？如何消除？如何利用霍尔效应原理测量磁场？如何利用霍尔元件进行非电磁的物理量的测量？若磁场的法线不恰好与霍尔元件片的法线一致，对测量结果会有何影响？如何用实验的方法判断B与元件法线是否一致？能否用霍尔元件片测量交变磁场？【实验原理】一、霍尔效应原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。当带电粒子（电子或空穴）被约束在固体材料中，这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积，从而形成附加的横向电场。如图1所示。当载流子所受的横电场力与洛仑兹力相等时，样品两侧电荷的积累就达到平衡，故有 （1）其中EH称为霍尔电场，是载流子在电流方向上的平均漂移速度。设试样的宽度为b，厚度为d，载流子浓度为n，则 （2）由（1）、（2）两式可得： （3）比例系数RH=1/ne称为霍尔系数，它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。应该指出，这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的，如果考虑载流子的速度统计分布，需引入3/8的修正因子（可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》）。根据霍尔系数RH可进一步确定以下参数。由RH 的符号（或霍尔电压的正负）判断样品的导电类型。由RH求载流子浓度n，即 （4）结合电导率的测量，求载流子的迁移率。电导率σ与载流子浓度n以及迁移率之间有如下关系 （5）即，测出值即可求。电导率可以通过在零磁场下，测量B、C电极间的电位差为VBC，由下式求得。（6）根据上述可知，要得到大的霍尔电压，关键是要选择霍尔系数大（即迁移率高，电阻率ρ亦较高）的材料。因，就金属导体而言，和ρ均很低，而不良导体ρ虽高，但极小；因而上述两种材料的霍尔系数都很小不能用来制造霍尔器件。半导体高，ρ适中，是制造霍尔元件较理想的材料。由于电子的迁移率比空穴迁移率大，所以霍尔元件多采用N型材料，其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比，因此薄膜型的霍尔器件的输出电压较片状要高得多，所以制作时，往往采用减少d的办法来增加灵敏度，但不能认为d愈薄愈好，因为此时元件的输入和输出电阻将会增加，这对霍尔元件是不希望的。就霍尔器件而言，其厚度是一定的，所以实用上采用来表示器件的灵敏度，称为霍尔灵敏度，单位为二、实验中的副效应及其消除方法：在产生霍尔效应的同时，因伴随着多种副效应，以致实验测得的霍尔电极A、A′之间的电压为VH与各副效应电压的叠加值，因此必须设法消除。（1）不等势电压降V0如图2所示，由于测量霍尔电压的A、A′两电极不可能绝对对称地焊在霍尔片的两侧，位置不在一个理想的等势面上，因此，即使不加磁场，只要有电流Is通过，就有电压Vo＝Is r产生，其中r为A、A′所在的两个等势面之间的电阻，结果在测量VH时，就叠加了Vo，使得VH值偏大，（当Vo与VH同号）或偏小（当Vo与VH异号）。VH的符号取决于Is和B两者的方向，而Vo只与Is的方向有关，而与磁感应强度B的方向无关，因此Vo可以通过改变Is的方向予以消除。（2）爱廷豪森效应—热电效应引起的附加电压VE从微观来看,当霍耳电压达到一个稳定值VH时,速度为v的载流子的运动达到动态平衡。但实际上载流子迁移速率服从统计分布规律，构成电流的载流子速度不同，若速度为v的载流子所受的洛仑兹力与霍尔电场的作用力刚好抵消，则速度小于v的载流子受到的洛仑磁力小于霍尔电场的作用力，将向霍尔电场作用力方向偏转，速度大于v的载流子受到的洛仑磁力大于霍尔电场的作用力，将向洛仑磁力力方向偏转。因而速度大的载流子会聚集在半导体材料的一侧,而速度小的载流子聚集在另一侧,又因速度大的载流子的能量大,所以速度大的粒子聚集的一侧温度高于另一侧。由于测量电极和半导体两者材料不同,电极和半导体之间形成温差电偶,这一温差产生温差电动势VE,这种由于温差而产生电势差的现象称为爱廷豪森效应。如图3所示。这种效应的建立需要一定的时间，如果采用直流电则由于爱延好森效应的存在而给霍尔电压的测量带来误差，如果采用交流电，则由于交流变化快使得爱延好森效应来不及建立，可以减小测量误差，因此在实际应用霍尔元件片时，一般都采用交流电。由于VE的大小和正负号与Is、B的大小和方向有关,跟VH与Is