[单片机实验3-1：《ds18b20温度测控实验指导书》150423[单片机实验3-1：《ds18b20温度测控实验指导书》150423.docVIP

实验7：芯片控制《ds18b20温度测控》 硬件设计：据附录1：《ds18b20温度测试》电路图，在Protues软件中绘出硬件仿真电路。 2、填空：软件设计，将附录2给出的《ds18b20温度测试》程序补充完整。 3、仿真：编译程序，完成仿真。 4、增加控制功能：当温度低于200C时，控制低温超限电机启动；当温度高于300C时，控制高温超限电机启动，并添加高、低、正常三种温度的LED指示电路及程序。 附录1：《ds18b20温度测试》电路图 附录2：给出的《ds18b20温度测试》程序【填空】 /********************************************* DS18B20温度测量 *********************************************/ #include reg51.h #define uchar unsigned char #define uint unsigned int 【 】 DQ=P3^0; //单数据总线 【 】 p20=P2^0; //位码C 【-88.C】 【 】 p21=P2^1; //位码8.【-88.C】 【 】 p22=P2^2; //位码8 【-88.C】 【 】p23=P2^3; //位码 负号-【-88.C】) code 【 】tab[]={ 0XC0,0XF9,0XA4,0XB0,0X99, //0~9共阳段码 0X92,0X82,0XF8,0X80,0X90}; code【 】tab1[]={0X40,0X79,0X24,0X30,0X19, //0~9共阳段码带小数点 0X12,0X02,0X78,0X00,0X10}; uchar a,b,t,h; uchar bai,shi,ge,xiao; //////////////////////////////////////////////// 【 】delay(unsigned int i) { while(【 】); } /******************复位函数****************** 1。 初始化：单总线操作从初始化开始: 1)请求: 【单片机发送启动(复位)负脉冲：DQ=0，480us后，DQ=1】进入Rx接收模式 操作：DQ : 1 - 0(480us+) - 1 2)响应: 【单片机接收应答信号：收DQ=1(15~60us) - 响应DQ=0(60~240us)，说明有单线器件在线】 操作：DS18B20检测到DQ上升沿后, 延时15~60us, 通过拉低总线60~240us，产生应答脉冲. DQ: 1(15~60us) - 0(60~240us) 【DQ=0，初始化完成，即可2.ROM操作】 *********************************************/ bit int_DS18B20(void) //初始化函数【合理简化协议】 { unsigned char x=0; 【 】 = 1; //1)请求: 【单片机发送启动负脉冲：DQ=0，480us】 delay(8); //延时480us 【 】 = 0; //单片机拉低DQ --- --- delay(80); //延时480us(略大于) |480us| 【 】 = 1; //拉高总线DQ ----- delay(14); //84us x=【 】; //延时片刻后读,如果x=0则初始化成功,x=1则初始化失败 delay(20); return x; //返回x=DQ } /****************************************** 1。写时隙【DQ=下降沿时产生】: 数据线DQ送出下降沿时, 产生写时隙（必须60us,各写时隙间保证1us的恢复时间） 写1 【DQ=0，15us后DQ=1】: 主机将数据线DQ先拉低, 然后释放15us后, 将数据线DQ拉高; 写0 【DQ=0，60us】: 主机将DQ拉低并至少保持60us以上. ******************************************/ //写一个字节 void Write(unsigned char dat) //dat=要写到DQ的8位数 { unsigned char i=0; for (i=8; i0; i--) //写8位 {