介质损耗角正切值的测量.ppt

介质损耗角正切值的测量 基本原理 电介质在电场作用下产生能量。 P= U2ωCtgσ 当外加电压及频率一定时，电介质的损耗P与tgσ及C成正比；而对于一定结构的试品来说，C为定值，故可直接由tgσ的大小来判断试品绝缘的优劣。 测量tgδ值是判断电气设备绝缘状态的一项灵敏有效的方法。 介质损失角正切值tgδ的测量 当电气设备绝缘整体性能下降，如普遍受潮、脏污或老化，以及绝缘中有间隙发生局部放电时，流过绝缘的有功电流分量IRx将增大，tgδ也增大. 通过测量tgδ值可以发现绝缘的分布性缺陷. 若缺陷部分在整个绝缘中的体积较大，则测量tg? 容易发现绝缘的缺陷。 如果绝缘缺陷是集中性的（非贯穿性的），或缺陷部分在整个绝缘中占很小的体积，则该方法不很有效. 用于对套管、电力变压器、互感器和某些电容器的测量. 试验方法 仪器：西林电桥或介质损耗测量仪 西林电桥 电桥的四个臂： CN—标准电容器 ZX—被试品 C4—可调电容 R3— 可调电阻 试验接线 正接法：被试品两端对地绝缘，实验室采用，安全。 反接法：被试品一端固定接地，一般现场试验采用，为了保证安全，使用绝缘杆操作。 西林电桥测量法的基本原理  根据电容平衡原理： 为了读数方便，取 试验的步骤 1、将试品对地充分放电，试品表面擦拭干净。 2、根据试验条件确定采用正接线或反接线。 3、按图正确接线，高压试验线须从垂直方向拉出，使其对试品的分布电容最小，并且须用粗导线防止电晕，保护接地应牢固可靠。 4、检查接线确保正确，检查微安表指零，将R3，tanσ调零，灵敏度档位及调压器置零位，根据试品容量选择分流器于正确档位。 5、确定试验电压：Ue≥10kV,Us=10kV; Ue＜10kV,Us=Ue 6、均匀升压至试验电压， tanσ调至Ⅰ档，逐渐增大灵敏档（最后增至6-9档），与此同时调节R3，直至微安表不再减小，然后调节tanσ（从大倍率到小倍率），使微安表逐渐趋于零。如需要，最后调节微调电阻，使微安表指示为零。 7、将电压降至零，切断电源。记录数据，各旋钮复零。 8、tanσ调至Ⅱ档，重复6、7。 影响tgδ测量结果的因素 1、温度的影响 一般绝缘的tgδ值均随温度的上升而增加。 一般来说，对各种被试品，不同温度下tgδ的值是不可能通过通常的换算式获得准确的换算的，应尽量争取在差不多的温度条件下测出tgδ值，并以此来作相互比较。 通常都以20℃时的作为参考标准，为此，一般要在10~30℃范围内测量。 2、试验电压的影响 3. 试品电容量的影响 对于电容量较小的试品(例如套管、互感器等)，测量tanδ能有效地发现局部集中性缺陷和整体分布性缺陷。但对电容量较大的试品(例如大中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等)测量tanδ只能发现整体分布性缺陷 . 4. 试品表面泄漏的影响 试品表面泄漏电阻总是与试品等值电阻Rx并联，显然会影响所测得的tanδ值，这在试品的Cx较小时尤需注意. 谢谢欣赏！ * * CX Rx 图中Cx，Rx为被测试样的等效并联电容与电阻，R3、R4表示电阻比例臂，Cn为平衡试样电容Cx的标准，C4为平衡损耗角正切的可变电容。 解所得方程式，得： 式中Zx、Zn、Z3、Z4分别是电桥的试样阻抗，标准电容器阻抗以及桥臂Z3和Z4的阻抗 C4以μF计，则C4的读数就为tanσ的值。 测量电容量Cx有时对于判断其绝缘状况也是有价值的。对于电容型套管，如果Cx明显增加，常表示内部电容层间有短路现象或有水分侵入。 48000-400000 19400-48000 8000-19400 3000-8000 30-3000 10kV试品电容范围 大型电机，长电缆 中型电机，短电缆 大变压器，小型电机 电流互感器，小容量变压器 套管，绝缘子，电流互感器 试品名称 1025A 0.15A 0.06A 0.025A 0.01A 分流器位置 分流器档可按下表选择： 右图试验电压的典型关系曲线 1良好的绝缘 2绝缘中存在气隙 3受潮绝缘 *