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光刻、显影工艺简介 光刻胶( Photo-resist )概述 +PR 和 –PR的区别 描述光刻工艺的步骤 四种对准和曝光系统 光刻胶概述 +PR -PR +PR -PR基本原理 +PR -PR 树脂分子结构 光刻基本步骤 ? 涂胶 Photo-resist coating ? 对准和曝光 Alignment and exposure ? 显影 Development 详细光刻工序 光刻胶涂布-辊涂法 光刻胶涂布-丝网印刷法 光刻胶涂布-旋转涂布法 预 烘（前烘） Mask制作 曝光剂量 曝光时间差异 碳酸氢钠（1%）----负胶 HCL( 5% )---正胶 氢氧化钠溶液 AUO Proprietary Confidential Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 高分辨率 High Resolution； 高光敏性 High PR Sensitivity 精确对准 Precision Alignment 光刻胶是TFT制作的基本工艺材料之一：由树脂、感光化合物、溶剂 3 个基本部分组成； 具有光化学敏感性：被紫外光、电子束、X射线、电子束等曝光光源照射后，发生光化学反应，溶解度发生变化； Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Negative Photo-resist 负性光刻胶－负胶 曝光后不可溶解 显影时未曝光的被溶解 便宜 Positive Photo-resist 正性光刻胶－正胶 曝光后可溶解 显影时曝光的被溶解 高分辨率 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 正胶工艺 负胶工艺 基板处理 涂胶 + 烘烤 曝光 显影、光刻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 正胶：曝光时切断树脂聚合体主链和从链之间的联系，达到削弱聚合体的目的，所以曝光后光刻胶在随后的显影处理中溶解度升高，曝光后溶解度几乎是未曝光时的10倍；更高分辨率（无膨胀现象）在IC制造应用更为普遍； 负胶：曝光时树脂聚合体主链的随机十字链接更为紧密，并且从链下坠物增长，所以聚合体溶解度降低；由于光刻胶膨胀而使分辨率降低；其主溶剂，如二甲苯等会引起环境和安全问题； Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. ?基板清洗、烘干 目的：去除污染物、颗粒； 减少针孔和其它缺陷；提高光刻胶黏附性； ?PR涂布 小尺寸：旋涂； 中大尺寸：丝网印刷滚轮 ?Mask制作、曝光 auto CAD / Corel-draw； 小型曝光机：中型曝光机 ?预烘 110 °C ； ?坚膜 135 °C ； ?退胶 NaOH ； Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. 辊涂法主要是利用圆筒滚动的方法来转移光刻胶，如图所示，利用辊筒1和辊筒2的转动将光刻胶转移在刻有精细凹槽的辊筒2上，再通过辊筒2和辊筒3之间的挤压将辊筒2上凹槽里的光