GeSi复合量子点MOSFET结构存储器解析.ppt

Ge/Si复合量子点MOSFET结构存储器 纳米量子点结构存储器作为新一代信息存储器件引起了人们广泛的研究兴趣。与传统的浮栅MOSFET结构存储器相比,纳米量子点MOSFET结构存储器具有更高的器件密度、集成度、更低的功率损耗和更长的电荷存储时间和更短的编程时间。 简介： Ge/Si复合量子点的形貌结构与性质: Ge/Si复合量子点是由Si和Ge元素组成的半导体纳米颗粒，属于零维纳米材料，尺寸大约在2-10nm。由于它在三维尺寸空间被限制到极小的临界尺寸，像一个点，所以被称为Ge/Si复合量子点。 它的性质主要有量子限域效应，表面效应，宏观量子隧道效应，库伦阻塞效应。 由于Ge的禁带宽度小于Si的禁带宽度,从而Ge/Si复合量子点与周围环境形成的是台阶状的复合势垒。 传统浮栅MOSFET结构存储器: 如图所示为传统的浮栅MOSFET结构存储器。它利用了浮栅带电子与否对阈值电压造成的变化来记录二值信息，阈值电压不变代表一种信息，阈值电压变大代表另外一种信息。 这种传统器件的缺点是，它的器件尺寸相比量子点MOSFET结构存储器尺寸大很多，而且功耗大，不利于大规模集成电路系统集成。它的最大的一个缺点就是编程时间和电荷存储时间之间的矛盾，理想的情况是电荷存储时间更长而编