使用分子氢作为放射加速总剂量硬度保证试验双极线性电路的方法..docxVIP

使用分子氢作为放射加速总剂量硬度保证试验双极线性电路的方法Philippe C. Adell, Ronald L. Pease, Hugh J. Barnaby, Bernard Rax, Xiao J. Chen, and Steven S. McClure摘要：高剂量率的氢分子压力照射作为一种快速的双极线性电路的总剂量测试方法被提出。该方法在工艺、电路技术及在生活中其他五个方面同样行之有效：比较器（美国半导体的LM193），电压稳压器（Intersil的HSYE-117 RH），电压基准（凌力尔特的LT1019），JFET输入运算放大器（ADI的OP）和温度传感器（ADI公司的AD590）。这种测试技术可以快速建立部件在空间低剂量率响应的上限并帮助部分选择过程，在设计阶段使命。对保证辐射硬度的影响进行了讨论。1.引言增强型低剂量率的灵敏度（ELDRS）双极线性电路一直是重要的研究课题，因为它是首次报道的[1] - [4]。虽然早期的测试结果和建模似乎表明现象ELDRS的处理的结果，和厚度的基氧化物后来的研究表明，占主导地位的因素会影响剂量率的灵敏度和总剂量响应的是最后的钝化[5] - [7]，包装和包装后的热治疗方法[8]和氢的量，可能会被困包中的[9] - [11]。某些类型的最终钝化步骤到基氧化物，可能会引入大量的氢气，如低温氮化物过程中使用的氨和硅烷。热治疗既可以驱动氢到基氧化物和改变结合的手段到氧化物中。此外，外部氢源迅速漫过干预钝化层基氧化物[9]，如氮化物，除非有一个屏障[10]。手稿收到2009年7月17日2009年9月10日修订。当前版本2009年12月9日公布。这项工作是由国防部分支持威胁降低局计划和美国NASA电子零件程序。B. RAX和SS麦克卢尔PC Adell的喷气推进实验室，加州理工学院帕萨迪纳，CA91109 USA（电子邮件：philippe.c.adell@ ）。RL皮斯RLP研究，洛斯卢纳斯，NM87031 USA（电子邮件：mailto:lsrlpease@lsrlpease@）。HJ巴纳和陈XJ，亚利桑那州坦佩的亚利桑那州立大学，85287美国（电子邮件：hbarnaby@）。本文的一个或多个数字的颜色版本都可以在线找到。数字对象标识符10.1109/TNS.2009.2033797。皮斯等人最近的研究。 [12]，[13]报道，氢是一个主要因素，确定总的剂量和剂量率线性双极电路的特点。实验两个晶体管结构和线性电路进行作为一个功能来衡量他们的响应外部引进的氢的浓度表示：1）增加了降解低剂量率；2）增加过渡之间的高，低剂量的辐射剂量率响应。这种转变并不需要进行量化，但这是一个很好的签名的总剂量的一个特定的行为的一部分。这些结果表明，一个新的加速硬度保证测试方法是可能的，从而部分测试暴露在高剂量率，同时丰富的环境。这种方法获得的数据可以迅速建立一个上限在空间低剂量率响应。最近报告的数据[12]，[13]，在图中绘制。 1，展示这样的做法的可信度。正如图中所示，辐照双极晶体管和电路，在高剂量率为100％（分压为1个大气压）显示着结果低剂量率风险与不施加大于氢。如果这些结果是在其他部分重现类型，那么加速试验的一般方法，使用氢压力可能会得到发展，并帮助部分选择设计用于空间的系统。这可能是迈进了一大步部分资格过程中具有空间飞行任务成本效益的方法。虽然它似乎有些保守，这种方法可能是一个非常强大的辐射硬度保证工具。直到现在，一些加速试验方法已被提出：1）高温照射（ETI）最初提出的弗利特伍德等。[14]研究了由其他[15] - [18]2）替代高剂量率辐射高温退火最初由弗赖塔格和布朗[19]提出，（Pershenkov）等并进一步提出[20]研究。3）开关剂量率实验是由Boch等人提出的 [21]，[22]。在ETI技术照射通常的温度下进行100摄氏度汇率（Si）的1弧度/ s或更低的剂量。在替代高剂量率照射和高温退火的方法，弗赖塔格和布朗发现，对于两种类型的运算放大器下列程序工作：在高剂量率照射1/2的规格剂量，随后升高的温度下退火3小时，在100，然后通过一个额外的照射在高剂量率的1/2的规格剂量，其次是另一个升高的温度下退火4.4小时[19]在100摄氏度。在高辐射剂量率切换技术包括总剂量的增加值，然后切换到低剂量率续照射剂量率[21]，[22]。该低剂量率的结果，然后沿剂量轴调换构建低剂量率响应。虽然这要花费很多更多的测试样本，使用这种方法，总照射时间减少所使用的步数..所有这些技术是有用的，但它们都具有其的局限性。为每一个调查的部件类型的数技术是有限的，至少对于前两种技术，有没有一套通用的变量。因此，一个表征将需要建立的参数和程序每个工艺技术，并部分类型束缚了低剂量率响应。此外，在ETI的