(精)模拟电子技术基础第一章1.pptVIP

掌握概念，适当扩展 重在理解，举一反三 建立整体，由外及内 着眼关键，忽略次要 按部就班，灵活变通 三极管伏安特性曲线是描述三极管各极电流与极间电压关系的曲线，它对于了解三极管的导电特性非常有用。 三极管有三个电极，通常用其中两个分别作输入、输出端，第三个作公共端，这样可以构成输入和输出两个回路。有三种基本接法(组态)，共发射极、共集电极和共基极。 共射输入特性曲线是以uCE为参变量时，iB与uBE间的关系曲线，即 以iB为参变量，iC与uCE间的关系曲线，是一族特性曲线。 (1) 转移特性曲线 uDS一定时，栅源电压uGS对漏极电流iD的控制作用，即 (2) 输出特性曲线 以uGS为参变量时iD与uDS的关系。 3、极限参数 集电极最大允许电流 ICM 集电极最大允许耗散功率 PCM 极间反向击穿电压 U(BR)CEO和 U(BR)CBO iＣ uＣＥ 0 安全工作区 ICM 过压区 过损耗区 过流区 U(BR)CEO iC过大，β值会减小。当 iC =ICM时，β下降到额定值的2/3。 PCM为集电极电流通过集电结时所产生的功耗，与管芯的材料、大小、散热条件及环境温度等因素有关。 PCM = iC·uCE PCM为一条iC与uCE乘积为定值的双曲线。 PCM =iC·uCE 基极开路时，集电极—发射极间的反向击穿电压。 五、PNP型三极管 N N P VBB ～ VCC + ui - Rc Rb （a） NPN型 + uO - P P N VBB ～ VCC + ui - Rc Rb （b） PNP型 + uO - 1、三极管外加电源的极性 2、PNP型三极管中电流和电压的方向 e c b 实际方向： － － ＋ ＋ IC IB UCE IE UBE e c b 规定正方向： ＋ ＋ － － IC IB UCE IE UBE NPN三极管的结论对PNP型三极管均适用； 放大区：发射结正偏，集电结反偏； 饱和区：发射结正偏，集电结正偏； 截止区：发射结反偏，集电结反偏； PNP管偏置的外加电源极性与NPN管相反； 输入、输出特性曲线也与NPN管相同； 只是坐标轴要变成负值－uBE,－uCE； b c e IB IE IC 放大区：发射结正偏，集电结反偏； （UBE0，UBC0） 饱和区：发射结正偏，集电结正偏； （UBE0，UBC0） 截止区： 发射结反偏，集电结反偏； （UBE0，UBC0） UBC=0，临界饱和 UBC0，过饱和 e c b PNP P P N §1.4 场效应三极管 一、结型场效应三极管JFET (Junction Field Effect Transistor) 二、绝缘栅场效应三极管IGFET ( Insulated Gate Field Effect Transister) 单极型三极管（一种载流子参与导电—多子） 三个电极：源极、栅极和漏极 是一种压控器件,由uGS控制iD 的变化(VCCS) FET MOSFET JFET N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 一、结型场效应三极管（N沟道、P沟道 ） G D S 1、结构 (a) N沟道JFET的结构示意图及其表示符号 在N型半导体棒两侧通过高浓度扩散制造两个重掺杂P+型区，形成两个PN结，将两个P+区接在一起引出一个电极，称为栅极(Gate)，两个PN结之间的N型半导体构成导电沟道。在N型半导体的两端各制造一个欧姆接触电极，这两个电极间加上一定电压，便在沟道中形成电场，多数载流子(自由电子)产生漂移电流。电子发源端称为源极(Source)，接收端称为漏极(Drain)。 耗尽层 N型沟道 P+ P+ D G S 栅极(Gate) 源极(Source) 漏极(Drain) 耗尽层 P型沟道 N+ N+ D G S G D S (b) P沟道JFET的结构示意图及其表示符号 N型沟道 P+ P+ D G S iD=0 （a） N型沟道 P+ P+ D G S iD=0 （b） VGG P+ P+ D G S iD=0 （C） VGG （1）uDS=0 uGS=0 uGS0 uGS=UP 夹断电压 2、工作原理 栅源负压uGS加大时，PN结变厚，并向N区扩张，导电沟道变窄，当加大到某一负压值时，沟道全部消失,称此时的UGS为“夹断电压”，记为UP。 （2）uDS0 N P+ P+ D G S iD （a） i