《电力电子技术及试卷》.docVIP

红河学院2016-2017学年秋季学期 《电力电子技术》 课程期中考试试卷 考试单位：工学院 考试日期： 年 月 日 题 号 一 二 三 四 五 六 总分 得 分 得 分 评卷人 一、填空题(每小题2分，共30分) 1、电力电子技术的诞生是以1957年美国通用公司研制出第一个 标志的。 2、电力电子器件一般总是工作在 ，以减小本身的损耗，提高效率。 3、全控型器件电路的主要控制方式为 。 4、电力电子器件的损耗包括 、 和 。 5、晶闸管的开通是靠在其双晶体管模型中形成强烈的 ，使两个晶体管进入完全饱和状态，从而使晶闸管导通。 6、IGBT内部寄生着一个晶闸管，可能引发IGBT的栅极对集电极电流失去控制作用，导致集电极电流增大，造成器件功耗过高而损坏，这种现象称为 。 7、电力电子器件的驱动电路采用的隔离技术有 和 。 8、晶闸管的缓冲电路一般采用 。 9、可控整流电路采用的控制方式是 。 10、单相桥式全控整流电路，带直流电动机负载工作时，会出现电流断续情况，将导致电动机的机械特性变软，为了克服这个缺点，一般在主电路中直流输出侧串联一个 。 11、单相桥式半控整流电路，如果输出端不并联续流二极管，会出现 。 12、可控整流电路中，交流侧n次谐波电流的有效值比基波电流的有效值等于 。 得 分 评卷人 二、选择题(每小题2分，共18分) 1、下列器件中，（ ）属于半控型器件。 A、SR；B、SCR；C、GTO；D、MOSFET 2、IGBT是一种由（ ）组成的复合型器件； A、SCR和BJT；B、SCR和MOSFET；C、GTO和MOSFET；D、MOSFET和BJT； 3、若晶闸管电流有效值是157A，且其阳极和阴极间电压为60sinωt V，则其额定电流和额定电压分别为（ ）。 A、100A，60V；B、157A，60V；C、100A，30V；D、157A，30V； 4、单相桥式全控整流电路，带阻感负载工作时，当α=30°时，晶闸管的导通角θ为（ ）。 A、60°；B、120°；C、150°；D、180°； 5、单相桥式全控整流电路，带阻感负载工作时，α的移相范围是（ ）。 A、0°~90°；B、0°~120°；C、0°~150°；D、0°~180°； 6、三相半波可控整流电路中，为了避免3次谐波流入电网且获得零线，变压器的接法为（ ）。 A、Υ-△；B、Υ-Υ；C、△-△；D、△-Υ； 7、三相半波可控整流电路带电阻性负载工作时，晶闸管承受的最高正向电压和最高反向电压为（ ）。 A、均为；B、、 ；C、均为；D、、； 8、三相半波可控整流电路带阻感性负载工作时，输出电压的平均值为（ ）。 A、；B、；C、；D、 9、三相桥式可控整流电路工作在有源逆变状态时，逆变角β的范围是（ ）。 A、0°~90°；B、0°~120°；C、0°~150°；D、0°~180° 得 分 评卷人 三、判断题(每小题1分，共9分) 1、电力电子技术可以看成是弱电控制强电的技术，是弱电控制强电的接口。（ ） 2、MOSFET是一种电流控制型器件。（ ） 3、电力晶体管的集电极电压升高到某一数值时，会出现雪崩击穿现象，这会使管子永久损坏。（ ） 4、智能功率模块IPM一般指IGBT及其辅助器件与其保护和驱动电路的封装集成，也称智能IGBT。（ ） 5、电力电子器件的保护包括：过压保护、过流保护。（ ） 6、晶闸管的串联是为了提高总体的耐压能力，而并联则是为承担较大的电流。（ ） 7、单相半波可控整流电路结构简单，输出电压脉动大，不存在变压器铁心直流磁化问题。（ ） 8、一般情况下，整流电路带阻感性负载时晶闸管的导通角比带电阻性负载时大，所以整流电路输出电压平均值也增大了。（ ） 9、m脉波整流电路变压器二次侧电流所含谐波次数为mk次，而输出直流电压和电流所含谐波次数为mk±1次。（ ） 得 分 评卷人 四、计算题(10分) 单相桥式全控整流电路，带反电势阻感负载，R=1Ω，L=∞，E=40V，，，当α=60°时求、与的值。 得 分