光通信技术-高掺硼石英材料性能..docVIP

改进的PCVD工艺制造高掺硼材料的性能研究 童维军1,2 刘德明1 汪洪海2 罗杰2 （1 华中科技大学光电工程系 武汉 430073；2 长飞光纤光缆有限公司研发部 武汉 430073） 摘要 一种用于制造光纤的高掺硼石英材料的性能总结，它采用改进的PCVD工艺合成。在简单回顾基本的工艺条件和关键工艺参数之后，材料性能，如玻璃结构、折射率、粘度、热膨胀系数和残余应力，被主要讨论。两种高掺硼光棒的性能也被介绍。 关键词 硼掺杂 应力棒 保偏光纤 PCVD 石英玻璃 1. 引言 光纤的物理性能取决于基质材料的特性和制造工艺，它涉及到广泛的物理、化学、材料科学的基本规律。过去30多年的石英光纤领域里，发展了四种典型的光纤制造工艺，并形成了规模的产业化，他们分别是改进的化学气相沉积工艺（MCVD）、轴向气相沉积工艺（VAD）、外部气相沉积工艺（OVD）和等离子体化学气相沉积工艺（PCVD）[1]。对于常规Ge、P、F掺杂的石英光纤而言，材料的物理性能，如损耗、折射率、热膨胀系数、粘度、机械强度等，已被广泛地研究[2]。然而，要查询一些特殊掺杂工艺相关的文献却并不容易，尤其是高掺硼的掺杂工艺。此外，随着石英基特征光纤的发展，如保偏光纤（PMF）[3]和光敏光纤（PSF），经常发现一些特殊掺杂材料的性能成为该特种光纤制造的技术关键或工艺瓶颈。正是这些特殊掺杂使特种光纤具有区别于常规光纤的特性。因此，更多地关注特殊掺杂材料的基础研究是非常必要的。 本文将对高掺硼材料的性能做一个概括性的介绍，在简单介绍改进的PCVD工艺的基本原理和掺杂实验之后，重点讨论高掺硼材料的折射率与材料物理性能的关系。文章也将介绍优化工艺后制备的两种产品的性能测试结果。 2. PCVD工艺的基本原理 PCVD制棒工艺的工作原理示如图.1[1, 4]。用于PCVD沉积工艺的衬管被安装在供料系统和尾气处理系统之间。沉积过程中，期望的SiCl4、GeCl4、C2F6 和O2的混合气体被输送到非常低压的沉积管内，高频谐振腔使这些混合气体形成非等温态的等离子体，并沿衬管往复运动实现沉积过程。在等离子体化学反应过程中，混合气体生产期望的玻璃组分，附着在衬管的内壁，它直接形成玻璃体，区别于其它沉积工艺的中间形成粉尘状过渡态。在沉积过程中，通过一个整体的炉衬，衬管保持在一个1,200℃的恒定温度场内独立旋转。此外，微波能量是通过衬管壁直接耦合到反应区中的混合气体，也就是说区别于其它沉积工艺的是沉积反应基本不会受到衬管热传导的影响。因此，谐振腔移动的速度能达到4-30m/min，使得沉积层的厚度能实现微米级那么薄。这是PCVD工艺能实现精确的折射率剖面和良好的重复性的主要原因。接下来的是熔缩工艺。在这个工艺过程中，旋转的沉积管一般被炉体加热到约2,200 °C，在表面张力和精确的管内外压差的作用下逐步熔缩形成一个实心的玻璃棒。 为了实现高掺硼的PCVD工艺，改造了目前最新的沉积车床，增加了一个特殊的BCl3供料系统，它的流量采用精确的质量流量计（MFC）进行控制。 Fig. 1: Setup PCVD deposition 3. 硼掺杂实验 目前，SiO2和GeO2的沉积效率一般分别为100%和85%，下面的硼掺杂沉积实验是建立在1.5g/min SiO2的沉积速率之上。关键的工艺参数包括原料气体的流量、沉积区压力、高频功率和谐振腔移动的速率。 依照上面的工艺基准，两种测试剖面分布的实验被安排，其中对于SiO2-B2O3系统，BCl3 MFC的开度按10%的步长从0%变化到了60%，而对于SiO2-B2O3-GeO2系统，GeCl4 MFC的开度选择的是5%和10%、BCl3 MFC的开度为40%和50%。实验过程中发现这两种体系的玻璃粘度显著地区别于掺Ge玻璃，熔缩工艺需进行系统的优化。所制备的实心棒被直接安排常规拉丝。为了比较不同的应力区大小的影响，两种丝径（125un和165um）的光纤被拉制。实心棒和所拉光纤的折射率分布分别采用商用的芯棒分析仪(PK2600)和光纤分析仪(NR9200)进行了测试。 实验过程中发现石英基高掺硼应力棒在制备过程中容易因沉积缺陷的存在发生炸裂，如气泡、夹杂、返转点不均匀沉积区，因此在下管、熔缩和热处理实心棒的过程中需格外小心，避免误操作导致炸裂。不同掺杂浓度的硼应力棒在优化工艺后进行了制备，并对其中三种试样的均匀沉积区进行了化学分析以确认BCl3的沉积效率和建立掺杂浓度与折射率的相对关系。采用类似的工艺也制备了一种高掺硼低掺锗的应力棒。分别采用PK2600进行了测试。 4. 结果讨论 4.1 玻璃结构 Zachariasen的无规则网络理论（1932年）成功地解释了玻璃的微观结构并发展成一个有代表性的学派。一般地，有四个结构参数被用来