关于半导体pn结接触电势的研究..docxVIP

关于半导体 pn 结接触电势的研究文 摘 讨论了半导体 pn 结内建电场和接触电势的形成与可测性， 回答了在半导体物理学 pn 结内容教学中学生经常会提出的一个似是而非的问题。从热力学第一定律、金属-半导体接触等不同角度详细解释了热平衡(零偏下)时 pn 结不可能对外输出电压和电流的原因。关键词 pn 结；金属-半导体接触；接触电势；内建电场1 引言当两种导电类型不同的半导体形成 pn 结后(如图1)，在结附近会形成一个空间电荷区(如图 1(a))，由于其内部载流子浓度远低于中性区的载流子浓度，又称为耗尽区。在空间电荷区中存在着一个从 n 区指向 p区的内建电场(又称自建电场)， 其分布如图 1(b)所示。这样在 pn 结耗尽层外的两侧会产生一个电势差(电势分布如图 1(c)所示)，称为 pn 结接触电势差 V D 。从能带图上可以看出， 这个电势差要阻碍 p 区(n 区)的空穴(电子)向 n 区(p 区)扩散(如图 1(d)所示)， 所以 qVD又称为接触势垒， 正是由于这个接触势垒的存在才避免了pn 结中载流子的无止境扩散， 因此在零偏下(更准确地讲应是热平衡时)pn 结不会有宏观净电流流过。初次接触上述物理图像， 学生一般觉得很容易理解， 但当半导体物理知识掌握到一定程度时，又会发现上述物理图像不好理解， 学生常常会提这样一个问题：“既然如图 1(c)所示热平衡的 pn 结两侧存在接触电势差， 那么假如用一根导线将 pn 两端连起来，似乎会有电流流过， 即热平衡 pn 结会向外输出电流；或者用电压表接到 pn 结两端， 似乎可以测到电压， 即热平衡 pn结会向外输出电压，这显然是不可能的，那么原因是什么？”目前的国内外绝大多数半导体物理教科书中均未给出答案。一般半导体物理教科书在叙述半导体 pn 结特性时， 都给出了如图 1 所示的热图1平衡 pn 结的物理图像，提出了空间电荷区、耗尽层、内建电场(结电场)、接触电势差(接触势垒)等概念， 并讨论不同材料、不同温度对接触电势差的影响等， 然后就转入偏压下的 pn 结讨论【1~9】。只有少数教科书【10】 提及这一问题， 但并未具体展开讨论和细致分析。本文将在对 pn 结内建电场和接触势垒的形成、金属 -半导体接触的形成等分析的基础上， 对这一似是而非的问题给予一个全面的解释。2分析与讨论2. 1热力学第一定律解释首先我们从热力学第一定律的角度来分析这个问题。如图 2(a)所示， 若能在一个热平衡半导体 pn 结的两端测到电势差， 或者用导线连接起来可以有电流流过(如图 2(b))， 则说明回路的电动势不为零。而从热力学第一定律的角度来看， 这种现象是不可能发生的， 因为热平衡 pn 结不会无源地向外输出能量(电能)。图 22. 2金属 - 半导体接触电势差的贡献从能量守恒的角度分析虽然回答了这个关于 pn 结接触电势的问题， 但并没有对这个问题从正面给予直接解释。下面我们将在金属-半导体接触形成的基础上， 对这个问题进行正面解释。当我们试图去测量半导体 pn 结的接触电势差时，必须用两根导线(或电压表的表笔)连接到 pn 结两端，这时 pn 结两端与连接的金属就构成了金属 -半导体接触， 该系统的能带如图 3 所示。由于半导体与金属接触后， 又会形成一个肖特基势垒， 即在半导体一侧也会产生一个空间电荷层， 其中也存在着内建电场。对于 p型半导体， 这个内建电场的方向由金属指向半导体， 使金属的电势高于半导体， 其大小等于 p 型半导体的能带弯曲量；对于 n 型半导体， 这个内建电场的方向由半导体指向金属， 使半导体的电势高于金属， 其大小等于 n 型半导体的能带弯曲量。仔细看一下， p 区与 n 区的肖特基势垒内建电场的方向正好与 pn 结的内建电场方向相反。因为一个系统处于热平衡时， 它有一个统一的费米能级， 因此对于这样一个由金属/p 型半导体/ n 型半导体/ 金属构成的系统， 它也具有一个统一的费米能级(如图 3 所示)。故如将两侧的金属连接起来， 就不会有净的电子流动， 因为二者费米能级一致。换句话， pn 结的接触电势差正好被两侧的金属-半导体接触电势差所抵消， pn 结两端用一根导线连起来的回路中电动势为零， 热平衡 pn 结对外不能输出电压或电流。图 3 金属半导体的能带图有人可能会问：“若用两种不同的金属导线 A 、B连接到 pn 结两端， 会发生什么情况？”回答还是一样。虽然不同金属的功函数不一样， 导线 A 、B 上的电势不同， 但如果把 A 、B 直接接起来或用导线C 把 A 、B 连起来， 回路中仍不会产生净电流。因为决定能否对外输出电压或电流的本质是回路中的电动势是否为零。A 、 B 两根导线从半导体 pn 结两端接出来而产生的电势差正好