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通信工程学院毕业设计外文翻译毕业设计题目 基于图像的LED发光特性测试系统外文题目Fabrication of High-performance 400 nm Violet Light Emitting Diode 专业：信息工程学号生姓名：刘妮指导教师姓名：马海涛指导教师职称：教授日期： 年 月 日400 nm 高性能紫光 LED 的制作与表征王东盛1，2，郭文平2，张克雄1，梁红伟1，4* ，宋世巍1，杨德超3，申人升1，柳 阳1，夏晓川1，骆英民1，杜国同1，3( 1． 大连理工大学 物理与光电学院，辽宁 大连 116024; 2． 江苏新广联科技股份有限公司，江苏 无锡 214192;3． 吉林大学电子科学与工程学院 集成光电子国家重点实验室，吉林 长春 130012;4． 中国科学院上海微系统与信息研究所 信息功能材料国家重点实验室，上海 200050)摘要：利用金属有机物化学气相沉积技术在蓝宝石衬底表面制备了带有 p-AlGaN 电子阻挡层的 400 nm 高226 发 光 学 报 第 34 卷性能紫光 InGaN 多量子阱发光二极管。制作了 3 种紫光 LED，分别带有不同 p-AlGaN 电子阻挡层结构: Al 摩尔分数为 9% 的 p-AlGaN 电子阻挡层; Al 摩尔分数为 11% 的 p-AlGaN 电子阻挡层; Al 摩尔分数为 20% 的 10对 p-AlGaN/GaN 超晶格电子阻挡层。带有高浓度 Al 电子阻挡层的紫光 LED 的光输出功率高于低浓度 Al 电子阻挡层的紫光 LED。带有 10 对 p-AlGaN/GaN 超晶格电子阻挡层的紫光 LED 的光输出功率获得了极大的提高，在 20 mA 注入电流时测试得到的光输出功率为 21 mW。此外，该 LED 同时显示了在高注入电流下接近线性的 I-L 特性曲线和在 LED 芯片表面均匀的发光强度分布。关 键 词: 金属有机物化学气相沉积; 紫光发光二极管; GaN 发光二极管; 电子阻挡层; 超晶格一、引言最近几年，甘为基础的材料已经吸引光电子器件的极大兴趣，如发光二极管（LED）和激光二极管（LDS）相关的主要发展场导致高亮度化发光二极管（LED）与紫外至琥珀色光谱区的波长，并且，要实现对紫激光二极管的寿命达到10000个小时的时间，随着LED商业化程度不断增加，人们一直对在量子效率（量化宽松）和电动性能感兴趣，所有这些都与晶体质量和发光二极管结构有关。在这篇文章中，400 nm 高性能紫光 LED 的结构和光学特性在不同的条件下生长的阻挡层的MOCVD技术进行，结果发现，光输出效率在高注入电流效率高p-AlGaN电子阻挡层（EBL）严重影响，用10对阻挡/ GaN超晶格电子阻挡层，LED显示21兆瓦的峰值波长为402 nm的输出功率20毫安电流。二、实验2.1制备400 nm紫光LED蓝宝石衬底上GaN构造平面样品C面蓝宝石衬底上通过Veeco的MOCVD系统生长k465i涡轮盘。三甲基镓（Ga），三甲基铟（Tmin）和氨被用作遗传算法。硅烷和二茂镁（Mg）分别作为n型和p型掺杂剂，氢气和氮气作为携带气体。 图像1展示出了示意性样品结构，在1150摄氏度的温度下，在氢环境中首先对底物进行了处理，其次是30纳米厚的GaN缓冲层在530的增长，其次，温度上升到1 070℃增长2μM掺杂GaN和1.5μM Si掺杂的n型GaN,11对InGaN多量子威尔斯（多量子阱）生长的活性层和量子阱的生长温度为770℃.最后，有源层覆盖的掺杂的p型GaN层在温度940℃为300毫克 有源层，p-GaN层之间，AlGaN EBL层在三个条件下生长 （1）低铝的摩尔分数（9%）（2）高铝的摩尔分数（11%）（3）10对阻挡/ GaN超晶格电子阻挡层（slebl，在2。5 nm，Al的摩尔分数约为20%的超晶格的阻挡和GaN的厚度）层，在三和960℃AlGaN EBL相同的载气气氛相同温度下生长。为简单起见，这些样品分别表示样品，乙，丙.图1蓝宝石衬底上生长的紫外发光二极管结构示意图2.2特性GaN薄膜的结晶质量检查的X射线双晶衍射（DCXRD）摇摆曲线使用约旦河谷XRD设备，在每一种情况下，该装置是在裸芯片的几何形式，具有300μm*300um的大小。电致发光（EL）LED的光谱被放在附近的电流注入排放的平面装置顶部光纤收集。同样，由硅探测器测量的光输出功率放置在靠近顶部的发光二极管。同时，LED封装在5灯封装。额定注入电流为20毫安，与64兆瓦的电输入功率3.结果与讨论3． 1 DCXRD图2展示了样本的X射线模型:A,B和C。他们的半高全宽（FWHM）的w的扫描摇摆曲线显示了样本A的280到316的反正割，样本B的265到280