(精)09第2章 基本放大电路--场效应管放大电路——最新.pptVIP

北航五研 北航五研 北航五研 模拟电子技术基础 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院 主讲 ：赵建辉 第二章 基本放大电路(5.场效应管放大电路分析) 2.1 放大电路的概念及性能指标 2.2 基本共射放大电路工作原理 2.3 放大电路分析方法 2.4 放大电路工作点的稳定 2.5 三种基本晶体管放大电路 2.6 晶体管派生放大电路 2.7 场效应管放大电路 第2章 基本放大电路 本节课内容 2.3 放大电路的分析方法 重点：场效应管放大电路分析。 难点：1.FET工作原理与特性曲线 1.FET等效电路 2.动态分析 3.对比分析(与BJT比较) 重点难点 问题的提出: 1.FET基本电路 （直流Q点设置:标准电路） 2.如何定量分析对比? （分析方法:FET 等效模型） 3.有何不同?(与BJT比较理解) （分析内容:与BJT对比分析A,Ri,Ro） 2.7. FET放大电路分析 复习 N沟道 P沟道 增强型 (BJT类似) 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 分类： 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 P沟道 (a)转移特性；(b)输出特性 增强型 (b)输出特性 场效应管的转移特性和输出特性 P型 N型 N型和P型关系:180度奇对称 2.7.1 FET的三种接法 与BJT比较 BJT的三种接法 IE=(1+β)IB 共源(s) 共漏(d) 共栅(g) 2.7.2 FET工作点设置及静态分析 IGS = 0 基本共源电路 方法1:做图: 一、基本共源电路(以N-增强型为例,与NPN-BJT类似) 静态工作点Q 交点 方法2:计算: 二、自给偏压(耗尽型): 结型N沟道(耗尽型) 绝缘栅N沟道耗尽型 (UGS可正可负) (UGS0) 注意:必须使FET工作在恒流区 可否省略? 三、分压式偏置(增强型) 分压式偏置电路 (Rg很大,增加Ri) 联立求得(UGSQ和IDQ) 注意:必须使FET工作在恒流区 工作点计算:(IG=0) 栅极电位: 源极电位: 栅源电压: 2.7.3 FET放大电路动态分析 1.分析方法:先静态，后动态，与三极管h参数类似?动态分析采用等效电路法 2.FET类型多，主要以增强型N沟道为例，重点分析共源和共漏2种基本接法(共栅类似) 一、FET低频小信号模型： 2.线性化处理(小信号时,Q点线化) 4.参数意义 3.交流表示(变化部分) 1.输入输出关系(非线性) 跨导(mS) RDS:漏源动态电阻(几十-几百K?) 参数如何求取？ 跨导gm求取： 代入 小信号处 增强型N-沟道为例： 与工作点相关 参数意义与图解 转移特性与gm 输出特性与rd BJT 与 FET模型对比 全模型 方程 简化模型 二、FET基本共源电路分析： 静态分析： 动态分析： 阻容耦合共源电路分析： （P134—2.23题） 静态分析: 联立求得(UGSQ和IDQ) 动态分析： 共射比较 三、FET基本共漏放大电路分析： 静态分析： 动态分析： Ro如何求？ 输入短路 输出加压 产生 Io: Us = Uo Ug = Ud? Ugs = -Uo IDS= gmUgs= -gmUo ISD= -IDs= gmUo Ro如求法？ Ro很小， 电压跟随 开路 压控电流源等效电阻