(精)c11新半导体器件基础稿——最新.pptVIP

电子线路 （第四版）梁明理 邓仁清 主编尹旻 主讲 第一章半导体器件的特性 ★ 半导体器件基础 N型半导体形成过程动画演示 c. 电子是多数载流子，简称多子;空穴是少数载流 子，简称少子。 d.因电子带负电，称这种半导体为N (negative)型或 电子型半导体。 e. 因掺入的杂质给出电子，又称之为施主杂质。 b. N型半导体中产生了大量的(自由）电子和正离子。 小结 a. N型半导体是在本征半导体中掺入少量五价杂质 元素形成的。 (2) P型半导体 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼等。 B +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B 出现了一个空位 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 B +4 +4 负离子 空穴 - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 半导体中产生了大量的空穴和负离子 P型半导体的形成过程动画演示 c. 空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 d.因空穴带正电，称这种半导体为P (positive)型或空穴型半导体。 e.因掺入的杂质接受电子，故称之为受主杂质。 a. P型半导体是在本征半导体中掺入少量的三价 杂质元素形成的。 b. P型半导体产生大量的空穴和负离子。 小结 当掺入三价元素的密度大于五价元素的密度时，可将N型转为P型； 杂质半导体的转型 当掺入五价元素的密度大于三价元素的密度时，可将P型转为N型。 .1 形成 .2 实质 .4 电容效应 .3 单向导电性 PN结 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 以N型半导体为基片 通过半导体扩散工艺 .1 PN结的形成 使半导体的一边形成N型区，另一边形成P型区。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - (1) 在浓度差的作用下，电子从 N区向P区扩散。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - (2) 在浓度差的作用下，空穴从 P区向N区扩散。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 在浓度差的作用下，两边多子互相扩散。在P区和N区交界面上，留下了一层不能移动的正、负离子。 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - 即PN结 空间电荷层 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - - PN结：将P型和N型半导体采用特殊工艺制造成半导体半导体内有一物理界面，界面附近形成一个极薄的特殊区域，称为PN结 形成内电场 内电场方向 N + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + - - P - - - - - - - - - - - - - - - - - -