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- 2017-01-11 发布于湖北
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目前由于银浆颗粒较大,银不能流入硅孔,栅线和硅的接触电阻较大 通过回流工艺,使银流入硅孔,形成准埋栅结构 银栅 准埋栅结构,减少接触电阻 由于多孔结构,黑硅的钝化有很大差别 研究反应自钝化工艺,实现表面、体内同时钝化 SiNx 黑硅的钝化 PECVD,ALD SiNx减反层,背铝 SiNx AL 各种工艺 折射率 等离子体注入制备黑硅太阳能电池 清洗 注入F+ 制备黑硅 掺杂P 形成PN结 吸附O- 钝化 印刷电极 等离子体注入 收集栅的制作 探索全新栅线制作技术,减少栅电阻3倍,栅线20微米,提高效率2%,降低成本。 内容 一、背景 二、黑硅发现 三、黑硅制作新技术 四、各种黑硅技术比较 五、黑硅太阳能电池 六、进一步提高效率的方法 七、发展计划 黑硅整线制造装备 设备特点: 整线生产能力1500片/小时,和电池生产线匹配; 多种衬底适用,包括单晶硅、多晶硅、带硅等; 非常适合植入自动化生产线; 单面处理,避免背面损伤; 制备黑硅反射率可控,1%~15%; 碎片率极低,≤0.1%; 电池效率提高0.8%~1% 吸光:多孔陷光,SiNx减反层,背铝 产生电子空穴: 上、下转换,杂散能级,量子点,叠层 电子空穴分离: 浅结、耗散区、弯曲电场 传输:
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