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《微电子导论》复习与作业评讲 郭宇锋 2.1 用于推导能带论的基本假设有哪些？什么是能带论？用能带论的观点来区分金属、半导体和绝缘体。 解： 根据题目的分值来确定回答的详细程度。 能够画能带图。 2.2 载流子的主要输运模式是什么？影响载流子输运的因素有哪些？ 解：略 2.3 在室温下的单晶硅进行硼掺杂，硼的浓度为3×1015cm－3。试求半导体中多子和少子的浓度。若再掺入浓度为4.5×1015cm－3的磷，试确定此时硅的导电类型，并求出此时的多子和少子浓度。 解：第一次掺杂：半导体为P型 多子为空穴： 少子为电子： 第二次掺杂：半导体由P型变为N型。 多子为电子： 少子为空穴： 3.1 一个硅PN结的掺杂浓度为NA＝3×1015cm-3,ND=5×1015cm-3，（1）若平衡时P型硅一侧的耗尽区宽度为0.9μm，求此时总的耗尽区宽度。（2）若给此PN结施加偏压后，总耗尽区宽度变为1.6 μ m，求P侧和N侧的耗尽区宽度，并判断此时PN结处于正偏还是反偏。 解：（1）由 得： 故： （2）由题意： 两式联立，解得： 因耗尽区变宽，故PN结处于反偏状态。 3.2 一个硅PN结二极管，室温（300K）下饱和电流为1.48×10-13A，正向电流已知为0.442A，求此时的正向电压。 解：由 得： 3.3 定义通过基区流入集电结的电流和发射极注入电流之比为电流传输率α，证明： 证明： 3.4 共发射极接法晶体管中，基极电流Ib＝20μA，电流传输率α＝0.996，试求此时的发射极电流Ie。 解： 3.5 试证明在NMOS工作在深线性区时（VDSVGS-VT），ID和VDS近似满足如下关系： 证明： 3.6 试分析P MOSFET的工作机理。 3.6 试分析P MOSFET的工作机理。 3.6 试分析P MOSFET的工作机理。 3.6 试分析P MOSFET的工作机理。 P－MOSFET 与N－MOSFET 4.1 简述光刻的基本过程。 解： （1）涂胶：将光刻胶涂在硅片上。 （2）曝光：将掩模版覆盖在硅片上方，在特定波长的光线下曝光一段时间。 （3）显影：将硅片浸没在显影液中进行显影。 （4）腐蚀：采用干法刻蚀或湿法腐蚀，利用刻蚀或腐蚀的选择性，在窗口中暴露出来的基片上形成图形。 （5）去胶：去除残留的光刻胶。 4.2 简述二氧化硅的特点和在集成电路中的作用。 解： 略 4.3 简述各种CVD工艺的特点和优缺点。 解： 略 4.4 在杂质浓度ND0＝3×1016cm－3的硅中按照如下工艺进行掺杂，若再扩散后硼掺杂和磷掺杂的y方向浓度分布分别为NA(y)=(18-5×104y)×1016cm－3和ND(y)=(3-2×104y)×1017cm－3 ，试求横向扩散差△x为多少微米？ 4.6 总结N＋埋层双极工艺和N阱CMOS工艺的工艺流程，并总结各自掩模版的作用。 解： N＋埋层双极工艺的工艺流程： (1) N＋埋层制作：氧化→光刻埋层→磷注入→去氧化层 (2)外延层生长 (3)隔离扩散：氧化→光刻隔离区→硼注入→推阱→去氧化层 (4) P型基区制作:氧化→光刻基区→硼注入→推阱→去除氧化层 (5) N＋发射区制作:氧化→光刻发射区→磷注入→推结→去除氧化层 (6)接触孔和引线制作:氧化→光刻接触孔→溅射铝→光刻引线 掩模版共6张，其作用分别是： (1) M1：光刻埋层 (2)M2：光刻隔离区 (3)M3：光刻基区 (4) M4：光刻发射区 (5) M5：光刻接触孔氧化 (6)M6：光刻引线 4.6 总结N＋埋层双极工艺和N阱CMOS工艺的工艺流程，并总结各自掩模版的作用。 解： N阱CMOS工艺的工艺流程： (1) N阱制作：氧化→光刻N阱区→刻蚀SiO2 →氧化→磷注入→推阱→去氧化层 (2)场区制作：氧化→淀积Si3N4 →光刻场区→刻蚀Si3N4 →刻蚀SiO2 →高压氧化→刻蚀Si3N4 →刻蚀SiO2 (3)栅氧化层制作：氧化→淀积多晶硅→光刻栅区→刻蚀多晶硅 (4)源漏制作: N＋区光刻→磷离子注入→ P+区光刻→硼离子注入→推结 (5)接触孔和引线制作:淀积二氧化硅→光刻接触孔→溅射铝→光刻引线 掩模版共7张，其作用分别是： (1) M1：光刻N阱区 (2)M2：光刻场区 (3)M3：光刻栅区 (4) M4：光刻N＋