(精)中兴电磁兼容设计讲座——最新.pptVIP

注意 要有效地达到搭接的功能，应使搭接的金属紧密地连接，连接面应均匀、干净，其间不得有非传导性之物质。固定时应防止变形、震动、摇摆。应尽量将类似金属相搭接，不得已时可使用垫圈。应尽量使用直接搭接，若情况不许可时得使用搭接线，惟使用搭接线时应考虑： ·线之长度愈短愈好，电感电容比愈小愈好； ·线之电化次序应低于搭接物； ·长宽比应小于5； ·应直接与搭接物相接； ·不得使用自攻螺纹（Self-Tapping Screw）。 屏蔽 屏蔽能有效地抑制通过空间传播的电磁干扰。采用屏蔽的目的有两个：一是限制内部的辐射电磁能越过某一区域；二是防止外来的辐射进入某一区域。 屏蔽按其机理可分为电场屏蔽、磁场屏蔽和电磁场屏蔽。 电场屏蔽的机理 A A B B C1 C2 UA UB UA S C2 C3 C4 图1：电场感应示意图 图2：电场屏蔽作用的分析 电场屏蔽的设计要点 为了获得良好的电场屏蔽效果，注意以下几点是必要的： 屏蔽板以靠近受保护物为好，而且屏蔽板的接地必须良好。此举目的是增大C4的值； 屏蔽板的形状对屏蔽效能的高低有明显影响。例如，全封闭的金属盒可以有最好的电场屏蔽效果，而开孔或带缝隙的屏蔽盒，其屏蔽效能都会受到不同程度的影响。此举主要是影响剩余电容C1′的值； 屏蔽板的材料以良导体为好，但对厚度并无要求，只要有足够强度就可以了。 磁场屏蔽的机理 磁场屏蔽通常是对直流或甚低频磁场的屏蔽，其效果比对电场屏蔽和电磁场屏蔽要差得多，因此磁场屏蔽是个棘手的问题。 磁场屏蔽主要是依赖高导磁材料所具有的低磁阻，对磁通起着分路的作用，使得屏蔽体内部的磁场大大减弱。 H1 H0 磁场屏蔽的机理 磁场屏蔽的设计要点 提高磁场屏蔽效能的主要措施有： 选用高导磁率的材料，如坡莫合金； 增加屏蔽体的壁厚； 以上两条均是为了减少屏蔽体的磁阻； 被屏蔽的物体不要安排在紧靠屏蔽体的位置上，以尽量减少通过被屏蔽物体体内的磁通； 注意磁屏蔽体的结构设计，凡接缝、通风孔等均可能增加磁屏蔽体的磁阻，从而降低屏蔽效果。为此，可以让缝隙或长条形通风孔循着磁场方向分布，这有利于屏蔽体在磁场方向的磁阻减小； 磁场屏蔽的设计要点（续〕 对于强磁场的屏蔽可采用双层磁屏蔽体的结构。对要屏蔽外部强磁场的，则屏蔽体外层要选用不易磁饱和的材料，如硅钢等；而内部可选用容易达到饱和的高导磁材料，如坡莫合金等。反之，如果要屏蔽内部强磁场时，则材料排列次序要倒过来。在安装内外两层屏蔽体时，要注意彼此间的磁绝缘。当没有接地要求时，可用绝缘材料做支撑件。若需要接地时，可选用非铁磁材料（如铜、铝）做支撑件。但从屏蔽体能兼有防止电场感应的目的出发，一般还是要接地的。 电磁场屏蔽的机理 电磁屏蔽体对电磁的衰减主要是基于电磁波的反射和电磁波的吸收两种方式。 H1/E1 H0/E0 电磁场屏蔽的机理 电磁场屏蔽的机理（续〕 与前面已讲述的电场屏蔽及磁场屏蔽的机理不同，电磁屏蔽对于电磁波的衰减有三种不同的机理： 当电磁波在到达屏蔽体表面时，由于空气与金属的交界面上阻抗的不连续，对入射波产生的反射。这种反射不要求屏蔽材料必须有一定厚度，只要求交界面上的不连续； 未被表面反射掉而进入屏蔽体的能量，在体内向前传播的过程中，被屏蔽材料所衰减。这种物理过程被称为吸收； 在屏蔽体内尚未衰减掉的剩余能量，传到材料的另一表面时，在遇到金属与空气不连续的交界面时，会形成再次反射，并重新返回屏蔽体内。这种反射在两个金属的交界面上可能有多次的反射。 屏蔽效能的计算 屏蔽效能S＝A＋R＋B （dB） 上式中A为吸收损耗，R为反射损耗，B为正或负的修正项；当A大于15dB时，B可忽略不计，B是由屏蔽体内反射波所引起的。 上式中的各项可以视为相对于铜材料的导电系数σ和导磁率μ，频率f（Hz）以及所存在的各种物理参数的函数。 机柜（或屏蔽盒）之屏蔽 结构材料 适用于底板和机壳的材料大多数是良导体，如铜、铝等，可以屏蔽电场，主要的屏蔽机理是反射而不是吸收。 对磁场的屏蔽需用铁磁材料，如高导磁率合金和铁。主要的屏蔽机理是吸收而不是反射。 在强电磁场环境中，要求材料能屏蔽电场和磁场两种成分，因此需要结构上完好的铁磁材料。屏蔽效率直接受材料厚度以及搭接和接地方法好坏的影响。 对于塑料壳体，是在其内壁喷涂屏蔽层，或在汽塑时掺入金属纤维。 屏蔽之搭接 清洁 氧化层 面接触 螺钉的距离 缝隙：导电衬垫 压力 按优先等级排列的各种衬垫 穿孔 通风 导线 插箱的屏蔽处理 面板：金属U形面板 面板之间加金属簧片 面板插针：定位＋ESD泄放 导轨上簧片：配合插针泄放ESD 金属之间的搭接：簧片/导电衬垫 搭接处导电氧化或电镀 滤 波 滤波器的特性 插入损耗是在装置滤波器前后负载端所接收能量之差异 频率特性是在装置滤波器时