(精)电子科大课堂-模拟电路-第4章——最新.pptVIP

第四章 场效应管（FET）及基本放大电路 FET是另一种半导体器件。 主要特点：输入电阻高； 温度稳定性好； 工艺简单，便于集成。 它们在现代集成电路中得到了非常广泛的应用。 4-1 JFET 两类 N-JFET P-JFET 电路符号如下（箭头指向：P→N） 以箭头指向区别类型；靠近栅极(G)为源极(S)端。 一、JFET的结构和工作原理（N-JFET） （1）uGS的控制作用（uDS=0） 对于N沟道，uGS应为负电压，即P+N结应处于反偏状态。 （2）uDS的控制作用（uGS=0） (a) (b) (c) 沟道电位由D→S逐渐↓，故其特点为：导电沟道为不等宽的非均匀沟道，见(a)图。D处耗尽层最宽，导电沟道最窄；S处耗尽层最窄，导电沟道最宽。沟道内电子在uDS作用下形成iD（D→S）。 iD和uDS的关系与uDS大小有关： 当uDS较小(＜200mV)时，iD随uDS近似成比例增加； 当↑uDS时， 随着UDS↑，耗近层加宽，沟道变窄，使iD随uDS↑的速度变缓(非线性)； 当再↑uDS时，使uGD=UP时，耗尽层在靠近D处合拢（点接触），见图(b)。这种靠近D处的导电沟道刚刚消失的状态称为“预夹断”。此时对应的iD称为饱和漏电流IDSS。此时↑uDS，沟道对应的状态是由一点接触（预夹断）到一段接触（部分夹断），见图(c)。iD基本不变（饱和）。 当uDS↑至某值(BUDS），iD↑↑（击穿）。此时的漏源电压即PN结击穿电压,称为漏源击穿电压。 在iD～uDS坐标系中描述iD随uDS变化的关系曲线 OA段：UDS较小时，iD∝UDS（电阻性质）； AH段： iD随UDS↑的速度变慢（非线性）； HB段：预夹断后,iD基本不随UDS的↑而↑(饱和)； ＞B段：GD间PN结反向击穿，iD急剧↑。 （3）uGS、uDS同时作用 uGS为反偏，使导电沟道比uGS=0时更窄，相同uDS下iD更小，但iD随uDS变化的规律不变。随着uGS的不同，曲线不同，故曲线为一簇。 此时预夹断条件：uGD=uGS-uDS=UP 即：uDS=uGS-UP 二、 N-JFET特性曲线及参数 用转移特性曲线和输出特性曲线描述。 1、输出特性曲线 分为四个区 （1）可变电阻区： 对应预夹断以前的未夹断状态（uDS＜uGS-uP）。在该区，DS间等效为一个受uGS控制的电阻RDS。 （2）恒流区（线性放大区）： 对应预夹断后的部分夹断状态（ uDS＞uGS-uP ）。在该区，DS等效为一个受uGS控制的电流源（VCCS）。 （3）夹断区： 对应uGS＜UP的区域，此时沟道全夹断，iD=0。在该区，DS间相当于开路。 （4）击穿区： uDS过大，会使DG间P+N击穿，使用时，不能工作于此区。 2、转移特性曲线 3、转移特性方程（放大区内） 练习1 N-JFET的UP=-4V，要保证该管工作于放大区，静态UGS取值范围应是（ ）。 （1）＞-4V （2）＜-4V （3）-4V与0V之间 （4）＜4V 练习2 电路如图，IDSS=2mA，UP=-4V；求iD=？ 4-2 MOSFET 目前应用较多的绝缘栅场效应管是以SiO2作为金属（铝）和半导体材料之间的绝缘层，称为金属-氧化物-半导体场效应管（简称MOS管）。 MOSFET分为N沟道 耗尽型 增强型 P沟道 耗尽型