冉绍尔-汤森德效应..docxVIP

冉绍尔—汤森德效应1、实验目的1.通过测量氙原子与低能电子的弹性散射几率，考察弹性散射截面与电子能量的关系,了解有关原子势场的信息。2.学习研究低能电子与气体弹性散射所采用的实验方法。2、实验原理1） 冉绍尔－汤森德效应的理论描述在量子力学中，碰撞现象也称作散射现象。粒子的碰撞过程有弹性碰撞与非弹性碰撞两大类。在弹性碰撞过程中，粒子A以波矢沿Z入射到靶粒子B（即散射中心）上，受B粒子作用偏离原方向而散射，散射程度可用总散射截面Q表示。讨论粒子受辏力场弹性散射的情况。取散射中心为坐标原点；设入射粒子与散射中心之间的相互作用势能为U(r)，当 时，U (r)趋于零。则远离散射中心处的波函数 由入射粒子的平面波 和散射粒子的球面散射波 组成。 （2.6-1）这里考虑的是弹性散射，所以散射波的能量没有改变，即其波矢k的数值不变。 为散射角，即粒子被散射后的运动方向与入射方向之间的夹角； 称散射振幅。总散射截面。 （2.6-2）利用分波法求解满足（2.6-1）式边界条件的薛定谔方程，可求得散射振幅为，从而得到总散射截面。 （2.6-3）辏力场中，波函数可表成不同角动量l的入射波和出射波的相干叠加，l＝0, 1, 2,……的分波，分别称为s, q, d……分波。势场U (r)的作用仅使入射粒子散射后的每一个分波各自产生相移 。 可通过解径向方程 （2.6-4）求得，要求满足， （2.6-5）这样，计算散射截在Q的问题就归结为计算各分波的相移 ；（2.6-3）式中的 为第l个分波的散射截面。在冉绍尔-汤森德效应实验里，U(r)为电子与原子之间的相互用势，可以把惰性气体的势场近似地看成一个三维方势阱 （2-6.6）代表势阱深度，a表征势阱宽度。对于低能散射，ka1, 随l增大而迅速减少，仅需考虑s波的贡献， （2-6.7）其分波相移 （2-6.8）其中 。可见在原子势特性（ ）确定的情况下，低能弹性散射截面的大小将随入射电子波波矢，即入射电子能量E的变化而变化。当入射电子能量（E 0）、原子势特性满足时， ；而高l分波的贡献又非常小，因此散射截面呈现极小值。对图2.6-1的几种惰性气体来说，适当选择势阱参数，可使入射电子能量为leV左右时，其总散射截面Q为极小。随着能量的逐渐增大，高l分波的贡献不能忽略，各l分波相移的总和使总散射截面不再出现极小值。上述三维方势阱模型还是相当粗糙的，只能定性地用来解释冉绍尔曲线。散射截面的更精确的计算要采用Hartree-Fock自洽场方法。但从以上分析我们可以看到，实验测定弹性散射截面与入射电子能量的关系，可以提供有关原子势场的信息，这是研究基本粒子间相互作用所常用的方法。研究极低能量电子与原子、分子或离子的碰撞过程和反应截面，至今在等离子体物理、大功率气体激光器等领域仍是十分重要的课题。2）散射几率、散射截面和平均自由程之间的关系当入射粒子A穿过由B粒子组成的厚度为dz的靶时，若其平均自由程为 ,则其散射几率为。另一方面，若靶粒子的体密度为n，单个靶粒子的散射截面为Q，入射粒子穿过该靶时的散射几率又可表示为,显然有。 （2.6-9）既入射粒子的平均自由程 与单位体积内靶粒子的总散射截面nQ互为倒数关系。在几种惰性气体（Ar, Kr, Xe）的冉绍尔-汤森德效应实验中，当电子能量约为leV时，散射截面出现极小值， 为极大值，入射电子径直透过势阱，犹如不存在原子一样，原子对电子像是“透明”的，这种现象称为共振贯穿或共振透射。密度为N (z)的入射粒子，经由B粒子组成的厚度为dz的靶散射后，出射粒子密度的减小量为，取不定积分，得。设z=0处的入射粒子密度为 ，则，于是求得密度 的入射粒子穿过厚度为z的靶时，散射几率为。 （2.6-10）n代表了单位体积内所有靶粒子对于碰撞的总贡献。当靶粒子密度n一定时，散射截面Q则是决定散射几率 的因子。实验测得散射几率 后可得 （2.6-11）和， （2.6-12）对于给定温度T和压强p的气体，其总散射截面， （2.6-13）k为玻耳兹曼常数。3、实验仪器实验仪器由充气闸流管、R-T实验仪（包括电源组和微电流计及交流测量两部分）示波器、液氮保温瓶等组成。用ZQI 0.1/1.3型充氙闸流管作碰撞管，进行低能电子和气体原子弹性碰撞散射截面的测量。图2.6-2是充氙闸流管结构示意图，K为旁热式氧化物阴极，内有灯丝F，M为调制极，调制极与板极P之间有一块中央开矩形孔的隔板，它与周围的屏蔽金属套相连，称为栅极或屏蔽极S，调制极与屏蔽极连在一起作加速极用。隔板右面区域是等电位区，通道隔板小孔的电子与氙原子在这一区域进行弹性碰撞，该区内的板极则收集未被散射的电子。图2.6-2闸流管结构示意图现将R-T实验仪的电源组作简要说明：1. 灯丝电源Ef，提供1.2---5V交流电，连续可调。2.