电力电子技术试题01（参考）.doc

电力电子技术试题填空 0000002、电子技术包括__信息电子技术__和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。 0000001、电力变换通常可分为： 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交流 和 交流变交流 。 0000002、为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在___开关__状态。当器件的工作频率较高时，___开关__损耗会成为主要的损耗。 0000001、电力变换通常分为四大类，即 交流变直流 、 直流变直流 、 直流变交流 、 交流变交流 。 0100004、过电压产生的原因 操作过电压 、 雷击过电压 ，可采取 RC过电压抑制电路 、 压敏电阻 等措施进行保护。 0100002、请在空格内标出下面元件的简称：电力晶体管　GTR ；可关断晶闸管　GTO ；功率场效应晶体管　 MOSFET 　；绝缘栅双极型晶体管　IGBT ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。 0100004、晶闸管对触发脉冲的要求是 触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通 、触发脉冲应有足够的幅度、触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额和 应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离 。（可作简答题） 0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑　均流　的问题，解决的方法是　挑选特性参数尽量一致的器件和采用均流电抗器 。 0100004、抑制过电压的方法之一是用 电容 吸收可能产生过电压的能量，并用电阻将其消耗。 0100001、型号为KP100-8的晶闸管表示其额定电压为 800 伏、额定有效电流为 100 安。 0100003、在电力晶闸管电路中，常用的过电压保护有 避雷器 ； RC过电压抑制电路/阻容吸收 ； 硒堆 ； 压敏电阻 等几种。（写出2种即可） 0100001、目前常用的具有自关断能力的电力电子元件有 GTR 、 GTO 、 MOSFET 、 IGBT 几种。 0100003、普通晶闸管的图形符号是 ，三个电极分别是 阳极A ， 阴极K 和 门极G 晶闸管的导通条件是 晶闸管承受正相阳极电压，并在门极施加触发电流（脉冲）。或者UAK 0且UGK0 ；关断条件是 使流过晶闸管的阳极电流降到维持电流以下 。 0100002、可关断晶闸管的图形符号是 ；电力场效应晶体管的图形符号是 ，绝缘栅双极晶体管的图形符号是 ；电力晶体管的图形符号是 ； 0100003、绝缘栅双极型晶体管是以 电力场效应晶体管栅极 作为栅极，以 电力晶体管发射极和集电极 作为发射极与集电极复合而成。 0100004、有一晶闸管的型号为KK200－9，请说明KK　　快速晶闸管　； 200表示表示　　额定电流200A　，9表示　额定电压900V　。 0100004、一个单相全控桥式整流电路，交流电压有效值为220V，流过晶闸管的电流有效值为15A，则这个电路中晶闸管的额定电压可选为　（1.5～2）×1.414×220　；晶闸管的额定电流可选　为　（1.5～2）×15/1.57　。 0100003、常用的过电流保护措施有　电子电路 、　　快速熔断器 、　直流快速熔断器 、 过电流继电器 。（写出2种即可） 0100003、给晶闸管阳极加上一定的 正向 电压；在门极加上 正向门极 电压，并形成足够的 门极触发 电流，晶闸管才能导通。 0100002、晶闸管在触发开通过程中，当阳极电流小于 擎住 电流之前，如去掉 触发 脉冲，晶闸管又会关断。 0100002、请在正确的空格内标出下面元件的简称： 电力晶体管　GTR ；可关断晶闸管　 GTO ；功率场效应晶体管　 MOSFET 　；绝缘栅双极型晶体管 IGBT 　 ；IGBT是 MOSFET 和 GTR 的复合管。 0100003、多个晶闸管相并联时必须考虑　均流　的问题，解决的方法是　首要措施是挑选特性参数尽量一致的器件、采用均流电抗器 。 0100003、由波形系数可知，晶闸管在额定情况下的有效值电流IT等于 1.57 倍IT（AV），如果IT（AV）=100安培，则它允许的有效电流为 157 安培。通常在选择晶闸管时还要留出 1.5～2 倍的裕量。 0100001、晶闸管的维持电流IH是指在40度以下温度条件下，门极断开时，晶闸管从较大通态电流下降到刚好能保持导通所必须的最小 阳极 电流。 0100001、普通晶闸管内部有 PN结,，外部有三个电极，分别是 极 极和 极。 1、两个、阳极A、阴极K、门极G。 0100001、晶闸管在其阳极与阴极之间加上 电压的同时，门极上加上 电压，晶闸管就导通。 2、正向、触发。 0100001、晶闸管的工作状态有正向 状态，正向 状态和反向 状态。 3、阻断、导通、阻断。 0100002、某半导体器件的型号为