IGBT替代MOSFET..docVIP

IGBT替代MOSFET Jonathan Dodge, Advanced Power Technology, Bend, USA 深圳市晴轩电子有限公司 徐立刚（译） —————————————————————————————————— 摘 要：新型SMPS IGBT在一些特定的应用上比MOSFET有更好的性能价格比。高压MOSFET在相对小电流和高频（150kHz及更高频率）的应用中仍有优势。除了软开关，IGBT在大电流和频率小于200k以下的应用中占主导地位。注意IGBT与MOSFET的主要区别之处有助于成功的使用低成本的IGBT替代MOSFET。 Abstract: New SMPS IGBTs have a cost/performance advantage over MOSFETs in certain applications. High voltage MOSFETs still shine at relatively low current and high frequency (150kHz and higher). IGBTs dominate at higher current and frequencies generally below 200kHz unless soft switched. Paying attention to key differences when replacing MOSFETs with lower cost IGBTs will help ensure success. ------------------------------------------------------------------------------ APT的MOS@7 IGBT解决了高压MOSFET（200V或更高的BVDSS）的两个主要的缺点：导通电阻及其对温度的依赖性。 图1所示为与相同芯片面积的MOSFET相比，IGBT的导通电阻和它的温度系数都有较大的改善。在30A的时候，从图1可以看出，IGBT的最高实际电阻是90m，而相同芯片面积的MOSFET的最大电阻是240 m，室温下其电阻是IGBT的2.7倍。在125度的时候，IGBT要比MOSFET的导通电阻低5.6倍。这是IGBT的第二点重要优势：导通压降随温度变化的幅度很小。 低导通损耗的平衡 IGBT关断时少子的复合产生了拖尾电流。拖尾电流是IGBT的主要缺点，因为和MOSFET相比，它增加了关断时间和关断损耗。PT型IGBT，如第7代IGBT，采用了有效的少子寿命控制工艺，它能加快少子的复合，极大的减小了拖尾电流。 而寿命控制和导通压降是相矛盾的。加快关断会减小关断损耗，即Eoff，但是会增加导通压降，从而导致导通损耗的增加。图2是600V MOS 7 (PT型)IGBT在VCE（on）典型操作范围内 的Eoff -VCE（on）曲线。Eoff 和VCE（on）的平衡和IGBT技术上的革新使得第七代IGBT可以在很多应用中取代MOSFET。这种用IGBT来替代高压MOSFET的倾向将一直持续下去，因为和MOSFET相比，IGBT性能上还有很大的提升空间。500V以下，至200V的 MOSFET在性能价格比方面将被IGBT超过。 每个元件的VCE（on）是不同的，而它在并联时会影响均流。MOSFET各个元件的RDS（on）也有不同，但这种差异的数量级比较小。在并联PT型IGBT时，我们推荐按照VCE（on）来分类，而MOSFET通常不需要分类。在并联时PT型IGBT VCE（on）的温度系数实际上是次要因素，VCE（on）的不同才是主要因素。 何时使用IGBT 在母线电压等于或大于200V的时候，使用IGBT是个很好的选择。通常来说，600V和900V的第七代IGBT适用于硬开关频率等于或小于200kHZ的应用，1200V的IGBT适用于硬开关频率等于或小于50kHZ的应用。 这种IGBT的开通速度和MOSFET相同，这使得IGBT非常适用于软开通的状态例如移相桥。如MOSFET一样，软开通能显著的扩大IGBT的工作频率范围。这些IGBT的一个优点是他们的发射极和集电极之间没有电流流过。在发射极和集电极之间需要有电流流过的应用中，例如移相桥，可以在一个模块中复合一个IGBT和一个反并联二极管。在这种复合型元件中的二极管的性能要远远优于MOSFET的寄生二极管。 PT型IGBT能在软关断状态下工作的很好，是因为它的寿命控制工艺，但是它的关断时间仍然要比MOS