NPN硅双极结型晶体管..docVIP

摘要 晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。结型晶体管凭借功耗和性能方面的优势仍然广泛应用于高速计算机、火箭、卫星以及现代通信领域中。 如上图所示，由两个相距很近的PN结组成，基区宽度远远小于少子扩散长度，以上是NPN形式。 双极型晶体管基区中的电流传输过程与杂质分布形式有极密切的关系。 均匀基区晶体管：基区杂质浓度为常数。低注入下基区少子的运动形式为扩散。 缓变基区晶体管：基区掺杂浓度随位置变化。低注入下基区少子的运动形式既有扩散也有漂移。 双极晶体管有四种工作模式，相应地称为四个工作区。令 分别为基极对发射极和基极对集电极的电压。则四种工作模式是： 3.2载流子分布与电流分量 一、电流传输 中性基区（? 0 ? )少子电子分布及其电流：  二、发射区少子空穴分布及其电流： 边界条件： 空穴电流为： 三、集电区少子空穴分布及其电流 边界条件： 3.3基区宽度的具体设计 与PN结二极管的分析类似，在平衡和标准工作条件下，BJT可以看成是由两个独立的PN结构成 基区展宽效应的产生机理： 对于一般放大工作的npn-BJT，由于集电结加有反向电压，则在基区尾部、靠近集电结势垒边缘处的电子(少子)被抽出、使得该处的电子浓度=0。但是如果是在大电流工作时，由于注入的电子浓度很大，所以这时在基区尾部、集电结势垒边缘处，电子(少子)浓度实际上并不为0，而是等于Jc/(qvs)，其中Jc是集电极电流密度，vs是电子的饱和漂移速度（接近电子的热运动速度，～106s/cm）；在这种情况下，电子在中性基区内虽然被空穴所中和，但电子在进入到集电结耗尽层内后却增加了耗尽层中的负电荷，从而在集电结电压Vbc不变时，就将使得集电结的负空间电荷层变窄(正空间电荷层相应变宽)，这就导致基区变宽；进一步，若集电极电流密度Jc增大到Jc/(qvs)Nc时（Nc是集电区的掺杂浓度），则集电结的负空间电荷层将推移到集电区内，即中性基区进一步展宽到集电区，这就是产生了Kirk效应——基区展宽效应。　根据集电结耗尽层（令其中电场的分布为E(x)）的Poisson方程 dE/dx = -q [(Jc/(qvs)-NC]/eeo， 　　则可以计算出产生Kirk效应的临界电流密度为： Jco ≈ q vs Nc。 　　当集电极电流密度大于Jco时，即将出现Kirk效应。 结论：集电极电流由基极和发射极之间的电压控制，这就是晶体管的工作原理 发射极电流： 一是由从发射区注入到基区的电子电流形成的（iE1）；二是由基区的多子空穴越过B-E结注入到发射区（iE2）,它也是正偏电流，表达形式同iE1 基极电流: 一是iE2， 该电流正比于exp(VBE/Vt) ，记为iBa；另一是基区多子空穴的复合流iBb,依赖于少子电子的数量，也正比于exp(VBE/Vt) 。故基极电流正比于exp(VBE/Vt) 。 VCC=ICRC+VCB+VBE=VR+VCE 当VCC足够大，VR较小VCB0 此时正向有源。IC增大， VR增大，VCB减小，C结零偏准饱和 C结反偏饱和饱和时集电极电流不受控于VBE！ 3.4假设： （采用一维理想模型） 1，e,b,c三个区均匀掺杂，e,c结突变, 2，e,c结为平行平面结，其面积相同，电流垂直结平面 3，外电压全降在空电区，势垒区外无电场，故无漂移电流 4，e,c区长度＞＞少子L，少子浓度为指数分布（随 x） 5，Xm＜＜少子L，忽略势垒复合及产生, 6，满足小注入条件 7，不考虑基区表面复合 1. 基区电子（少子）浓度分布 浓度分布 同理可以得到发射