塞曼效应-B..docVIP

塞曼效应 1. Hg灯546.1nm谱线（3S1?3P2的跃迁） 3S1和3P2能级的个各项量子数： 3S1（2s+1Lj） 3P2（2s+1Lj） L 0 1 s 1 1 J（l + s） 1 2 g 2 3/2 M（0，?1，?j） 1，0，?1 2，1，0，?1，?2 Mg 2，0， ?2 3，3/2，0，?3/2，?3 跃迁算式： M2 1 0 ?1 M1 2 1 0 ?1 ?2 M2g2?M1g1 ?1/2 0 1/2 （?成分） ?4/2 ?3/2 ?2/2 2/2 3/2 4/2（?成分） ( 1 2 3 4 5 6 7 8 9 ) 裂距 “分裂”为9条子谱线，9条线的裂距相等，为1/2个洛仑兹单位 能级跃迁图： 2. 法布里—珀罗（Fabry-Perot）标准具的作用:获得光谱线的精细结构 F—P标准具的结构 F—P标准具是由两块内表面镀有高反射膜的平行玻璃板构成的。 （注意：实验要求两玻璃板平行） 原理 利用扩展光源多光束干涉（等倾干涉）形成干涉圆环， 产生干涉极大的条件：2dcos? = k?， 其中，d为标准具间距，?为入射角，?为波长，k为干涉级，干涉级别以圆心为最高。 自由光谱范围： 当波长分别为?1和?2（?1??2）的两光以相同的方向入射到F-P标准具上，对于不同的级次，它们将分别产生两个同心干涉环，若，则?1的k级与?2的k-1级重合，此时 。即为F-P标准具的自由光谱范围。其意义是在到的波长范围内，干涉环不会重叠。 测量谱线波数差（波长差）的公式： (d＝5.0 mm ) 3．加大磁场，加大裂距（错序法测磁场） 由于各子谱线相对强度差别较大，不容易把9条线同时清楚地拍摄出来，我们采用加大磁场的方法，使各级干涉序某些子谱线位置发生变化，并且正好使k级与相临干涉序（k?1级）的另一些子谱线重合，这使得在一个干涉序的色散范围内子谱线的数目减少、裂距加大，谱线之间的强度差减小，使谱线比较清晰，测量比较方便。本实验要求调节磁场强度，在出现k级和k-1级的三条?完全重叠的情形下拍摄。（参见附图） 4．塞曼效应实验装置及操作规程 1．本实验装置可用来研究Hg光谱546.1nm谱线的塞曼分裂。实验仪器己连接, 自己调整光路系统（F-P标准具的平行已调好）, 使各光学器件共轴。 2．调节成像透镜的位置反射镜位置, 至到能够观察到最清晰的干涉圆环。 3．调节F-P标准具和反射镜的方位, 使干涉圆环中心落在底片中心附近。 4．电磁铁用WYJ型稳压电源供电, 调整电流大小，观察干涉圆环的变化。加入偏振片, 观察π分量、σ分量。 5．确定底片相对于拍摄狭缝的位置，实验要求在同一底片上拍三组干涉圆环。 特别注意: (1)加磁场时电流要从零开始,撤磁场时要先将电流调至零,然后再关电源,以免烧毁稳压源,切记! (2)底片药膜面要面对光源，底片的装卸及显影须在黑暗条件下进行。 6．拍摄计划表： 曝光时间 暗盒位置 偏振片 磁场 磁铁电流 成分σ 8分 10mm 加 加 约1.4A 成分π 7分 30mm 旋转90度 加 约1.4A 1分 50mm 不加 不加 0.0A 7．冲洗: 温度：20oC, 显影(D72): 4分，定影(F-5): 10分，水洗：4分。 8．用自己洗出的底片，用投影仪测量干涉环直径。测量时，底片必须放正，测量三遍，填入自己设计的表内。 9．根据测量结果及公式,计算各环直径, 求出(1) ??和??，以及电子的荷质比e/m (2)计算e/m的标准误差(假设??为直接测量量) 10．计算机数据采集 启动分析软件:双击“塞曼效应分析软件”。 连接CCD：单击左上角“连接（即摄像机图象框）” 设置工作制式：单击“操作”－“显示系统对话框”－“视频属性”－“Viedeo Standad”：选择“PAL_B” 调整光路及CCD的聚焦透镜等，得到清晰的干涉圆环（自己想办法）。 保存图形：点击“文件”，保存BMP格式文件到D盘的“实验”目录下。 分别保存有无磁场时的干涉图。磁场与励磁电流的关系为： I（A） 3.0 3.2 3.6 3.8 4.0 4.2 4.4 4.6 4.8 B（T） 0.9693 0.9927 1.0160 1.0332 1.0756 1.0976 1.1080 1.1288 1.146