ICVD金刚石膜在LED散热系统的应用现状及前景分析2.docxVIP

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ICVD金刚石膜在LED散热系统的应用现状及前景分析2

CVD金刚石膜在LED散热系统的应用现状及前景分析摘要:本文通过对CVD金刚石膜历史发展的总结,分析其在LED散热系统的应用现状和发展趋势。依次对GaN-on-diamond、金刚石薄膜中间层、金刚石复合材料的LED散热系统、以金刚石为基础微电子器件(LED)封装四种以金刚石膜为基础的LED元件散热系统进行说明分析,并对未来的以金刚石为基础的LED热沉进行了前景预测。关键词CVD金刚石薄膜 LED散热系统 现状分析Abstract:This paper summarizes the historical development of CVD diamond films, analyzing their application status and trends in LED cooling system. Turn on GaN-on-diamond, diamond thin film intermediate layer, LED cooling system diamond composite materials to the diamond-based microelectronics device (LED) package of four diamond-based LED element analysis of the cooling system will be described, and the future the diamond-based LED heat sink has been forecast.Keywords: CVD diamond filmsLED cooling system Situation analysis1前言金刚石的热导率是铜的4-5倍[1],并且它的热膨胀系数同具有较高热导率的其他金属材料相比,更接近于制作电子器件的Si等材料的热膨胀系数,因而是大功率半导体激光器、微波器件和集成电路的理想散热衬底材料。同时,它本身又是极好的绝缘材料。因此可以应用金刚石膜制作高功率光电子元件(LED)的散热器材料。同时LED本身也具有优秀的性能,电光转化效率高、绿色环保、寿命长、具有体积小、亮度高等。虽然LED的理论发光效率很高,但其实际发光效率仍然比较低,大部分LED芯片的最终发光效率只有10%~20%,这意味着80%~90%的电能转化成了热量[2]。目前我国LED的创新水平在国际上处于发展水平,由此看来LED的应用会越来越广泛。通过LED产品分析、市场调研发现,如今LED的发展也存在很大的阻碍,例如成本高,不能大批量生产,大功率灯发光效率低,散热差,大部分电能以热能形式流失掉,只有少部分转化为光能,传统的被动散热方法会大大降低LED的使用寿命。综上所述,影响LED使用寿命和光照强度的一个重要因素就是其散热系统的缺陷。CVD金刚石膜具有极高的热导率和优良的主动散热性能,将CVD金刚石膜用作LED的散热系统可以有效的提高LED的散热效率。近年来,将CVD金刚石膜引入LED散热系统的提升LED性能的研究实验一直在进行过程中。实验研究表明,当温度超过一定值时,器件的失效率将呈指数规律攀升,元件温度每上升2°C,可靠性将下降10%。【3】因此,如何有效的完善LED散热系统将是促进LED性能提升所面临的一个重要问题。本文在总结当前CVD金刚石膜在LED散热系统的应用现状的基础上,对不同的金刚石散热系统结构进行分析。2正文1954年人造金刚石在美国通用电气公司的诞生,揭开了人工合成金刚石发展的序幕【4】。在此之后,人造金刚石逐渐进入人们的视野。而随着研究的逐步深入,化学气相沉积法的问世极大的促进了人造金刚石的发展。现阶段,人造金刚石的制作工艺逐渐成熟,利用微波化学气相沉积法、等离子体射频化学气相沉积法、热丝化学气相沉积法等技术可以生产质量较优的的金刚石膜。文章对于CVD金刚石膜的制法不再赘述,本文主要叙述CVD金刚石膜在LED散热系统的应用现状。金刚石是自然界中热导率最高的材料(常见材料热导率见表1),具有极好的导热性、耐磨性而今年来广泛的应用于电子元件散热系统、金刚石刀具等。基于金刚石膜的散热系统,很大程度上提升了LED元件的性能。本文介绍了四种以金刚石为基础的LED散热系统。1)GaN-on-diamond2006年,美国Group 4实验室【5】首次在金刚石衬底上合成了GaN芯片,晶片与合成金刚石衬底之间的间隙不到0.5 nm,晶片尺寸为10 mm x 10 mm,但是存在晶片弯曲变形、表面粗糙度较大等现象。这也就造成了金刚石不能发挥其良好的散热性能,且形成的晶片质量不好。Francis D等人【6】在实验中改进以往的技术首次以金刚石为衬底获得10.16 cm的GaN晶片,如图1所示。并对

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