LED基础教程剖析.ppt

瑋 群 (光 電 )事 業 部 LED基礎知識教程 三、LED制程工藝介紹 6.化學（或蝕刻）：去除黃光制程中未保護的部分，形成所需圖案。　 7.熔合：使蒸鍍過程中蒸鍍的多層金屬分子間更緊密結合，減少接觸電阻。 三、LED制程工藝介紹 8.研磨：減小基板厚度，降低晶粒電阻，同時以利切割。有研磨法與切削法兩種。 9.切割：將晶片切割為要求之晶粒。常用輪刀式，鑽石式與激光式三種方法。 10.測試：挑選出各種波長之晶粒，剔除不合格之產品。另有目檢流程，以保證銷售晶粒之品質。 四、LED制程配套工程注意事項 1.磊晶區 a.MOCVD機台 排氣較大　以有機廢氣為主，風管室內鍍鋅螺旋管、室外　SUS304材質，防銹，排氣風速約8米以上 冷卻水　溫度18~20℃±0.5，壓力約5KG，管徑約為1” 特氣管　數量較多 b.Local SCR 處理MOCVD產生之有毒氣體 冷卻水　，管徑約為6分 排氣　酸鹼　PP管（SCH80）　3寸 排水管、純水管 四、LED制程配套工程注意事項 c.特氣櫃 酸鹼排氣，PP管 有機排氣　SUS或鍍鋅，易燃易爆 特氣管　電子級，配至室內相應位置（類似電盤形式） 室外　N2　儲氣罐 d.隔間 控制室盡可能開多窗戶，使人坐著可以看到MOCVD與LOCAL　SCR，窗戶不宜過高 氫氣純化室隔間需至房頂，並設排氣，以防氫氣洩漏 業主機台可能多期進駐，隔間需留活動牆 四、LED制程配套工程注意事項 e.氣流方向 氣流由前至後：控制室－MOCVD－LOCAL SCR 空調設計需注意 門的開向配合氣流 f.地面要求 MOCVD地面無特殊處理 LOCAL SCR 需耐酸鹹EPOXY g.冷卻水供給模式 需板換，一對一輸出 水需過濾，裝流量計，需控制壓力 h.王水室 有清洗機，需PP排氣與排水 需純水 四、LED制程配套工程注意事項 i.氫氣室、特氣室、LOCALSCR、王水室 需使用防爆燈具 無回風，防毒氣擴散 j.排水 需設置存水彎，以防毒氣進入室內 注意破氣封 四、LED制程配套工程注意事項 2.無塵區 a.蒸鍍室（1K）　 蒸鍍機特點：真空、高溫、耗電量大 排氣　含少量油，使用PP管 冷卻水　1寸管　70~80LPM 注意排油方式，如圖： 制程水，需流量計，調壓計，不銹鋼軟管接至機台（不銹鋼球閥） 烤箱排氣，鍍鋅螺旋管，接機2寸（主要排出熱量） 四、LED制程配套工程注意事項 b.黃光區（1K）　 排氣　SUS304　使用法蘭連接（因為有油），耐高溫氣密墊 AIRSHOWER　窗戶等需貼黃光紙　室內使用黃光燈 c.清洗化學（10K）　 清洗機需純水、藥水、排水、排氣 氣味重　新風量大　新風口開一固定口與一比例調節口 使用電加熱時須加防火開關 純水　排水　排氣　制程冰水使用位置未定時天板上不開孔，天板上預留閥門即可。 排氣　使用中也可開孔 四、LED制程配套工程注意事項 d.熔合（10K）　 產生高溫　需制程冰水6分 排氣較多　鍍鋅 e.bonding（10K）　 真空泵排氣（PP） 制程冰水（約30LPM） f.CVD （10K）　 排氣　PP　不銹鋼　防爆防燒　10寸配法蘭（水管做法） 制程冰水（約30LPM） * * * LED基礎知識教程　 目　　錄 一、LED定義及發展 二、LED發光原理分析 三、LED制程工藝介紹 四、LED制程配套工程注意事項 五、LED常用單位及專業術語 一、LED定義及發展　 1. LED的定義：發光二極體（Light Emitting Diode, LED），是一種半導體元件。初時多用作為指示燈、顯示板等；隨著白光發光二極體的出現，也被用作照明。它是21世紀的新型光源，具有效率高、壽命長、不易破損等傳統光源無法與之比較的優點。加正向電壓時，發光二極體能發出單色、不連續的光，這是電致發光效應的一種。改變所採用的半導體材料的化學組成成分，可使發光二極體發出在近紫外線、可見光或紅外線的光。 一、LED定義及發展　 2. LED發展史 1907年，HenryJosephRound第一次在碳化硅里观察到电致发光现象。 20世纪20年代晚期，BernhardGudden和RobertWichard在德国使用从锌硫化合物与铜中提炼的黄磷产生发光。 1936年，GeorgeDestian发表了关于硫化锌粉末发射光线的报告。 20世纪50年代，英国科学家在电致发光的实验中使用（半导体）砷化镓发明了第一枚具有现代意义的LED。 20世纪60年代末，人们在砷化镓基体上使用磷化物发明了第一只可见红光的LED。 70年代中期，黄光和绿光LED面世。 20世纪80年代，高亮LED面世。 20世纪90年代，藍光LED問世，开启了照明和光电显示领域的新境界，1997年，白光LED诞生。 一、LED