第5章光调制器分析.ppt

* * * * * * * * * 磁光隔离器： 两偏振片透光轴方向夹角为 θ=45o。 激光放大器 激光放大器 激光输入 激光输出 5）磁光波导调制器 ? TM TE TM x z y 磁光波导模式转换调制器 在磁性膜表面用光刻方法制作一条金属蛇形线路，当电流通过蛇形线路时，蛇形线路中某一条通道中的电流沿y方向，则相邻通道中的电流沿?y方向，该电流可产生?z、?z方向交替变化的磁场，磁性薄膜内便可出现沿?z、?z方向交替饱和磁化。 蛇形磁场变化的周期为 ??：TE模和TM模传播常数之差。 可将输入TM模的（?=1.52?m）52%的功率转换到TE模上去。磁光波导模式转换调制器的输出耦合器一般使用具有高双折射的金红石棱镜，使输出的TE和TM模分成两条光束。 5、KDP光调制器 KDP家族晶体（特别是KDP、DKDP晶体）具有较大的非线性光学系数和较高的激光损伤阈值，从紫外到近红外波段都具有较高的透过率，得到广泛应用。 1）电光强度调制 在KDP晶体上施加一电场E，当一束光通过晶体后，将会使随时间变化的电场信号转换成光信号，由光波的强度或相位变化来反映要传递的信息，即为电光效应实现光调制的原理。 （1） 纵向电光调制（通光方向与电场方向一致） KDP置于两个成正交的偏振器之间，其中起偏器P1的偏振方向平行于电光晶体的x轴，检偏器P2的偏振方向平行于y轴，当沿晶体z轴方向加电场后，它们将旋转45o变为感应主轴x’,y’。因此，沿z轴入射的光束经起偏器变为平行于x轴的线偏振光，进入晶体后(z=0)被分解为沿x’和y’方向的两个分量，两个振幅(等于入射光振幅的1/ ）和相位都相等，分别为： 当光通过长度为L的晶体后，由于电光效应，E x’和E y’二分量间就产生了一个相位差 ，则 由于光强正比于电场的平方，因此，入射光强度为 那么，通过检偏器后的总电场强度是E x’(L)和E y’（L）在y方向的投影之和，即 y Y’ x X’ 45o 45o 与之相应的输出光强为： 注意公式： 将出射光强与入射光强相比得： Vπ和Vλ/2 是一回事。 其中的T称为调制器的透过率。根据上述关系可以画出光强调制特性曲线,如图所示。由图可见，在一般情况下,调制器的输出特性与外加电压的关系是非线性的。 若调制器工作在非线性部分,则调制光将发生畸变。为了获得线性调制，可以通过引入一个固定的 ／2相位延迟，使调制器的电压偏置在T＝50％的工作点上。常用的办法有两种： 其一，在调制晶体上除了施加信号电压之外，再附加一个 Vλ/4 的固定偏压，但此法会增加电路的复杂性，而且工作点的稳定性也差。 式中，△?m = ?Vm/V? 是相应于外加调制信号最大电压vm的相位延迟。其中Vm sinωmt 是外加调制信号电压。 其二，在调制器的光路上插入一个1／4波片其快慢轴与晶体主轴x成45o 角，从而使Ex’和Ey’二分量间产生 ?/2 的固定相位差。于是，总相位差 因此，调制的透过率可表示为 利用贝塞尔函数恒等式将上式展开，得 由此可见，输出的调制光中含有高次诣波分量，使调制光发生畸变。为了获得线性调制，必须将高次谐波控制在允许的范围内。 计算表明，若取 则三次谐波光强为基波的5%。 因此取 作为线性调制的判据 由此也可得出以上同样的结论。所以为了获得线性调制，要求调制信号不宜过大(小信号调制)，那么输出的光强调制波就是调制信号V=Vm sinωmt 的线性复现。如果△?m 1rad的条件不能满足(大信号调制)，则光强调制波就要发生畸变。 以上讨论的纵向电光调制器具有结构简单、工作稳定、不存在自然双折射的影响等优点。其缺点是半波电压太高，特别在调制频率较高时，功率损耗比较大。 强度调制器小结： 入射光分解为感应主轴方向的两个传播模； 找出相位延迟和外加电压（电场）的关系； 加入检偏器得到输出光强随外加电压变化，实现强度调制； 加入1/4波片提供固定“偏