半导体光电子学第一章解析.ppt

当注入电流由零开始增加时，所注入的载流子也同时增加，并用来产生自发辐射复合。随着注入载流子浓度的增加，并达到粒子数反转条件Fc - Fv≥ Eg时，也有少量注入载流子将产生受激辐射复合，但与自发发射复合相比，这部分载流子所占比例是很小的。当注入载流子浓度进一步增加，使粒子数反转达到达到光子增益与其损耗相抗衡的某一阈值以后，这时所注入的电流除用来维持自发辐射外，更主要是用来产生受激辐射，这时总的电流 其中 Isp与Ist分别为产生自发辐射与受激辐射的电流． 这样，式(1.7-2)表示的电流密度在达到阈值Jth以前可以近似表示为 (1.7-3) rsp为单位体积、单位能量间隔的自发辐射速率， 从图1.7-2看到，增益系数从某一电流密度Jt开始为正值，此时在增益介质中已经形成粒子数反转。此后，随着电流密度的增加，介质的增益系数相应地增加。当电流密度达到某一阈值Jth时，由子增益饱和效应致使增益系数不再随电流密度发生大的变化，而使增益系数被“钳制”在阈值增益处，对于不处于振荡状态的光子（如在 LED 有源区中的光子），增益系数按图中虚线随电流密度变化． 峰值增益与电流密度之间的关系可拟合成下面的线性关系： Jt是增益曲线在电流密度坐标上的截距，对应于刚好满足粒子数反转条件Fc-Fv=h?或增益恰好为正值时的电流密度。 系数A无明显的物理意义，只是代表某一温度下增益与电流密度关系曲线的斜率 (1.7-11) 1、增益随电流增加而增加 2、峰值增益的光子能量随电流增加而增加 作业: 另： 1、通过图1.7-1分析诸如载流子是如何在半导体激光器中产生自发辐射和受激辐射复合的？ 2、通过图1.7-2分析半导体激光器中增益系数与注入电流密度的关系。 粒子数反转条件，是1962年出现的半导体激光器的理论基础，从式中看见要产生激光发射必须使半导体处于非平衡状态，并且， 具体的半导体激光器中是通过电注入来实现的。 前面讨论的跃迁速率是从严格的k 选择定则考虑的，跃迁是一对一的，而实际发射同样光子的跃迁初态和终态都存在一个可能的范围，因此只需限定跃迁初态或终态的能量Ec或Ev和光子能量hv来重新考虑跃迁几率。 当给定体积V、导带能量Ec和光子能量h?的情况下，导带内单位能量范围的跃迁几率为B21(E,h?)?c(Ec)V。 这时B21(E,h?)本身包含有V-1，故实际上所表示的单位能量的跃迁几率与体积无关。 现在，只需将已经考虑了一个能量范围内的跃迁几率B21(E,h?)?c(Ec)V代替式1.5-2和1.5-3中的Bl2和B21， 再对整个Ec积分，就可得出相应向上和向下总的跃迁速率， （1.5-2） （1.5-3） 二者之差即为净的总跃迁速率，表示为 返回 不考虑自旋方向不同的不能跃迁的因素 很显然要产生净的受激发射必须满足条件。 四、自发发射与受激发射速率之间的关系 自发发射与受激发射有密切的关系，受激发射是放大的自发发射，引起受激发射的光子往往来源于自发发射，另外每个激光模式中也包含着一定的自发发射成分，含自发发射的比率将直接影响激光器的性能 返回 通过1.5-4和13可推导出一样的自发发射与受激发射的关系 ，此式在次证明了粒子数反转条件 返回 含义？ 五、净受激发射速率与增益系数的关系 当半导体处于粒子数反转状态时，也就是有净受激发射时，光波通过该区域会被放大得到增益，一般增益表示为： z是表示光的传播方向，F(z)表示某一点z处单位面积的光子通量，F0为光波进入反转区z=0时单位面积的光子通量，g为单位长度的增益或增益系数 可见g是经单位距离单位面积上所产生的附加光子通量与总光子通量之比 。 附加光子通量就是体积内净的受激发射速率，总的光子通量为光子密度与光波在介质中的传播速度之积，因此有 （1.5-25） 返回 的意义见课本，以及式子的含义。 六、净的受激吸收速率与吸收系数 净的吸收速率就是电子在能带系统中受激吸收与受激发射速率之差，当 时，对应光损耗，就是光通过该区域不会产生增益而是损耗，同增益系数的定义相同，吸收系数定义为经单位距离、单位面积上光子通量的减少量与总的光子通量之比。 是没有考虑色散时的光子状态密度分布 返回 由于吸收系数与自发发射速率的关系，可通过吸收谱的曲线来获得自发发射谱。 返回 在吸收的情况下， 很小，所以上式中的1可以忽略，从而有： （1.5-28） 作业: 教材43页第6题 另： 1、影响光跃迁速率的因素有哪些？试根据这些因素分别写出受激发射、受激吸收和自发发射的速率。 2、什么是爱因斯坦关系，并对其进行推导。 3、增益的概念是怎么样的，试根据其概念推导出增益和净的受激发