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单晶合成和制备技术Ⅱ 2012-11-12 单晶薄膜生长 基体选择：可形成大单晶，与外延膜晶格失配小，生长温度下不分解，不受反应气氛腐蚀，热膨胀系数与外延膜相近，抗热冲击，有与外延膜平行的解离面。 生长过程：临界晶核形成，原子岛形成，岛岛接合 结构缺陷：点缺陷、位错，层错 界面特点：与衬底的晶格匹配，相互原子扩散 表面特点：表面态、悬挂键、外来原子吸附 几种重要的晶体 LiNbO3单晶体 蓝宝石及GaN单晶体 GaAs单晶体 PZT晶体薄膜及PLT晶体薄膜 KTP单晶体（KTiOPO4, KTiOAsxP1-xO4) LiNbO3单晶 相图 LiNbO3晶体结构 GaN薄膜 GaCl气相外延：GaCl+NH3=GaN+HCl+H2 MOVPE法(1000℃）：Ga(CH3)3+NH3=GaN 常用衬底/基体 AlN: 晶格常数a=0.3080nm,c=0.5175, 热膨胀系数α=5.60×10-6/K α-Al2O3：a=0.4758,c=0.1249, α=7.50×10-6/K Si: a=0.54301, α=3.59×10-6/K SiC: a=0.436 MgO: a=0.4216, α=10.50×10-6/K ZnO:a=0.3552, c=0.5213, α=2.80×10-6/K GaN(属于六方ZnS结构): a=0.3189,c=0.5185, α=5.39×10-6/K GaN(属于立方ZnS结构)：a=0.452nm Sapphire 大硅单晶（2009-12） 多晶硅原料 纯度：可达9N N型P含量：1.5x1013个原子/cm3(相当于电阻率=300欧姆厘米 P型B含量：4.5x1012个原子/cm3(相当于电阻率=3000欧姆厘米） 金属杂质总量=1x10-8 (=10ppb) 碳含量=1015-1016个原子/cm3 氧含量=1016-1017个原子/cm3 硅单晶制备工艺 Cz法单晶炉 石英坩埚 GaAs单晶 结构 性质 制备 晶体结构 GaAs 是立方系晶体结构，晶格常数0.5653nm.解理面主要是（011）和（111） Ga和As 离子半径：Ga3+=0.062nm, As3-=0.068nm 电负性：Ga=1.6, As=2.0 (F=4.0, Li=1.0) 电子亲合能：Ga=0.41ev, As=0.81ev 晶型：Ga-正方（a=0.451nm)，As-三方(a=0.413nm) 熔点：Ga=303K, As=1090K Ga-As 相图 GaAs GaAs化学性质 1 在氧气中加热生成β- Ga2O3 2 常温下不与HCl、H2SO4、HF反应，但与浓硝酸反应、与H2SO4+H2O2反应。易溶于王水，也溶于HF+HNO3。所以GaAS的室温腐蚀液是： H2SO4:H2O2:H2O=3:1:1或5:1:1 HNO3:HF:H2O=3:1:4 GaAs的抛光液是H2O:H2O2:SiO2=1L:0.1L:125g。其中SiO2起研磨作用。 GaAs 能带图 GaAs Eg band GaAs比Si优越点 1 GaAs传导电子迁移率是Si的5倍 ，且电子峰值漂移速度比Si大1倍。因此， GaAs器件工作频率比Si高。 GaAs本征电阻（107Ω cm)比Si大。便于细微加工，也便于器件集成。 GaAs器件噪声低、效率高、使用方便。 电子迁移速率（Drift velocity） VGaAs5VSi GaAs主要应用 1 高速电子器件 2 微波场效应管FET 3 发光二极管LED 4 太阳能电池 Ⅲ-Ⅴ族闪锌矿晶型化合物GaAs及InP的半导体特性(300K) 化合物 a Eg μe 电子跃迁形式 GaAs 0.5653 1.428 8500 直接 InP 0.5869 1.351 6060 直接 In0.53Ga0.47As 0.75 11000 直接 a=晶格常数(nm); Eg=禁带宽度(ev); μe=电子迁移率(cm2/V.s) Bridgman法GaAs制备技术 3 助熔剂法制备掺Nd钇铝石榴石 成分：Nd:Y3Al5O12 助熔剂：PbO+ PbF2+B2O3 配方(质量百分比）：5.75%Y2O3 +5.53%Al2O3 + 1.16%Nd2O3 + 38.3%PbO + 46.7%PbF2 + 2.53%B2O3 结晶温度：1220