第一章半导体中的电子状态4分析.ppt

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * Physics of Semiconductors * * Ⅲ,Ⅴ族杂质在Si,Ge晶格中占据格点位置(替位式格点原子), 是浅能级杂质,起受主,施主作用.对半导体的电学性质有重要影响. ? Ⅴ族杂质在Si,Ge晶格中占据格点位置(替位式格点原子), 是浅能级杂质,起施主作用. ? Ⅲ族杂质在Si,Ge晶格中占据格点位置(替位式格点原子), 是浅能级杂质,起受主作用. Physics of Semiconductors * * 本征Si Si中的施主 Si中的受主 Physics of Semiconductors * * 施主与受主 Physics of Semiconductors * * ★ 施主 施主,施主电离和n型半导体 ?施主--能够向半导体提供导带电子的杂质 ?施主电离--施主杂质上多余的一个价电子摆脱束缚,成为导带电子 ? n型半导体—主要依靠导带电子导电的半导体 Physics of Semiconductors * * 能带图: Ec, Ev, Eg, 及ED, ?ED 图2-4 Physics of Semiconductors * * Physics of Semiconductors * * ★ 受主 受主,受主电离和p型半导体 ?受主--能接受电子而产生导电空穴的杂质. ?受主电离 –受主杂质上的空穴摆脱束缚,成为价带空穴 (即价带电子激发到受主能级上) ? p型半导体 --主要依靠价带空穴导电的半导体 Physics of Semiconductors * * 能带图: Ec, Ev, Eg, 及EA, ?EA 图2-6 Physics of Semiconductors * * Physics of Semiconductors * * ★类氢模型 浅能级杂质未电离时，可看作为 带电中心+一个束缚于其上的载流子 杂质电离能: 等效玻尔半径: m* -电导有效质量 Physics of Semiconductors * * Physics of Semiconductors * * 表2-1 硅, 锗晶体中Ⅴ族杂质的电离能 表2-2 硅, 锗晶体中Ⅲ族杂质的电离能 Physics of Semiconductors * * ★ 杂质的补偿作用 ND ? NA n型半导体 NA ? ND p型半导体 ND ≈ NA 杂质的高度补偿 图2-7 Physics of Semiconductors * * ★ 深能级杂质 深能级杂质—在Si,Ge中的非Ⅲ,Ⅴ族杂质属于深能级杂质 ? ① 产生的电子能级距离导带底,价带顶都比较远 ? ② 大多能在Si,Ge中产生多重能级 还有一些杂质,在同一半导体中,既可起施主作用,又可起受主作用—两性杂质 ?例如,Au在Ge中,除形成三重受主能级外,还产生一个施主能级 Physics of Semiconductors * * Physics of Semiconductors * * ★ Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质 以GaAs中的杂质为例,一般而言: ? Ⅱ族元素-倾向于占据Ga的位置,是受主 ? Ⅵ族元素-倾向于占据As的位置,是施主 ? Ⅳ族元素-占据As的位置,是受主 占据Ga的位置,是施主 Physics of Semiconductors * * 本章-书上第一,第二章的删略 × §1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能级结构 × §2.2 Ⅲ-Ⅴ族化合物中的杂质能级 × §2.3 缺陷,位错能级 * * * * * * * * * * * * * * * 中国科学技术大学物理系微电子专业 Physics of Semiconductors 中国科学技术大学物理系微电子专业 Physics of Semiconductors Physics of Semiconductors * * § 4 重要半导体的能带结构 (1)??? K空间等能面 (2)??? 硅和锗的导带结构 (3)??? 硅和锗的价带结构 (4)??? III-V族化合物半导体的能带结构 (5) 混合晶体的能带结构